MRAM: erinevus redaktsioonide vahel

Eemaldatud 95 baiti ,  4 aasta eest
resümee puudub
PResümee puudub
Resümee puudub
{{keeletoimeta}}
{{Mälu tüübid}}
'''MRAM''' ehk '''magnettakistuslik RAM''' on [[muutmälu|RAM]]-mälu, mida on arendatud alatest 1990ndatest. MRAM salvestabkasutab andmebitte,andmebittide kasutadessalvestamiseks magnetlaenguid. Tüüpilised mälud, näiteks [[DRAM]], kasutavad info salvestamiseks elektrilaenguid. Ehkki seni ei kasutata MRAM-mälusid veel kuigi laialdaselt, usuvad tehnoloogia pooldajad, et kord saabubsaab päev,MRAM miltänu MRAMoma saabpaljudele eelistele standardiks igal pool tänu oma paljudele eelistele.
 
==Kirjeldus==
 
Erinevalt tavalisest RAM tehnoloogiastmuutmälutehnoloogiast ei salvesta MRAM-mälu andmeid elektrilaengutemitte abilelektri-, vaid kasutabmagnetlaengute magnetlaenguidabil. LihtsaimLihtsaima MRAMi konfiguratsioonkonfiguratsiooni näebpuhul väljaon selline,elemendid kusmoodustatud elemendidkahest, onõhukese moodustatudisolatsioonikihiga kahesteraldatud [[ferromagnetism|ferromagnetilisest]] plaadist, millest igaükskumbki suudab hoida magnetvälja. Neid eraldab õhuke isolatsioonikiht. Üks kahest plaadist on püsimagnet,kindlale mis onpolaarsusele seatud kindlale polaarsuselepüsimagnet, teiseteist välja on mälu salvestamiseks võimalik muuta nii, et tasee oleks vastavuses ülejäänud väljaga, et salvestada mälu.
 
Kõige lihtsam meetod mälust lugemiseks on saavutatud mõõteselemendi [[elektritakistus|elektritakistuse]]t elemendismõõtmine. Konkreetne element
valitakse (tavaliselt) pingestades seotud [[transistor|transistori]] pingestamisega, mis lülitab [[elektrivool |voolu]] toitetorustikust
läbi elemendi maandamiseks. Magnetilise tunneli mõju tõttu muutub [[elektritakistus]] elemendis kahe plaadi välja
orientatsiooni tõttu. Mõõtes saadudSaadud voolu saabmõõtmisega tehakse kindlaks määrata takistusetakistus igas konkreetses elemendis ja tänutuletatakse sellest kirjutatava plaadi polaarsus. Tavaliselt omistatakse sama polaarsusega plaatide korral sellele kaväärtus "1", vastupidise polaarsusega plaatide korral "0".
kirjutatava plaadi polaarsust. Tavaliselt, kui kahel plaati on sama polaarsusega, omistatakse sellele väärtus "1",
samas kui kaks plaati on vastupidise polaarsusega, on vastupanu suurem ja see tähendab "0".
 
Andmed kirjutatakse elementidesse erinevate vahenditega. Kõige lihtsamal juhul jääb iga element kirjutamisridade paari vahel täisnurga all üksteise kohal või all elemendi suhtes. Kui vool on neid läbinud, siis tekib [[Elektromagnetiline induktsioon |põhjustatud magnetväli]] nende ühendumiskohal, mille kirjutatav plaat üles korjab. See tegevusmuster sarnaneb selle1960ndatel põhimälusüsteemilaialdaselt omaga,kasutusel midaolnud kasutatipõhimälusüsteemi laialdaselt 1960ndatelomaga. Selline lähenemisviis eeldab vajaliku välja loomiseks üsna märkimisväärset voolu, etseega luuapole vajalikMRAM väli, seegahea kui tahta kasutada väikest võimsust, pole MRAM hea, see on ühtlasi ka üks MRAMi suuremaid miinuseid. KuiSeadme seadetsuuruse tehavähendamisel suuruselt väiksemaks, siis tulebsaabub hetk, kui indutseeritud väli kattub külgnevate lahtritega üle väikese ala, mis võib põhjustada valekirjed. See probleem, pool-valitud (või kirjutamis häire) probleem, määrab kindlad suurused seda tüüpi elementidele kindlad suurused.
 
[[Image: MRAM-Cell-Simplified.svg | thumb | 300px | right | Lihtsustatud MRAM elemendi struktuur]]