Redaktsioon: 5. mai 2018, kell 16:47 redigeeri Adeliine (arutelu \| kaastöö) Administraatorid 126 042 muudatust PResümee puudub ← Vanem muudatus		Viimane redaktsioon: 26. aprill 2021, kell 09:27 redigeeri eemalda LAviki (arutelu \| kaastöö) Usaldatud kasutajad 3553 muudatust Resümee puudub
1. rida: '''Aseskeem''' on [[elektrotehnika]]s lihtsatest elementidest koosnev [[skeem]], mis näitlikult esitab tegelikus [[seadis]]es (näiteks [[takisti]]s, [[diood]]is) või seadmes (näiteks [[trafo]]s, [[võimendi]]s) toimuvaid protsesse ja neid määravaid parameetreid.<ref name="TL"> Tehnikaleksikon. Tallinn, Valgus, 1981</ref> '''Aseskeem''' ehk '''ekvivalentskeem''' on elektriliste ja [[Elektroonsed komponendid\|elektroonsete komponentide]] puhul kasutatav [[skeem]], mida kasutatakse skeemitehnilise projekteerimise ja elektriliste omaduste analüüsi juures, milles on põhilisele komponendile lisaks sisse viidud mitmesuguste füüsikaliste nähtuste toimet arvesse võtvad täiendavad elemendid. [[Pilt:Schemat rezystora.PNG\|pisi\|200px\|Takisti aseskeem: ''R'' takistus, ''C'' rööpmahtuvus, ''L'' jadainduktiivsus]] Tüüpilisteks aseskeemi näideteks on [[induktiivpool]]i ja [[kondensaator]]i aseskeemid.▼ [[Pilt:Equivalent circuit of photodiode.svg\|pisi\|200px\|[[Fotodiood]]i aseskeem]] Aseskeemi saamiseks asendatakse lähteskeemi elemendid neid iseloomustate suurustega, nagu [[takistus]] (või [[elektrijuhtivus (suurus) \|juhtivus]]), [[mahtuvus]], [[induktiivsus]], [[püsivooluallikas \|vooluallikas]] või [[püsipingeallikas \|pingeallikas]]. Nii saadakse seadme sisemiste parameetrite ja nendevaheliste seoste mudel. Aseskeemi elementide valikul arvestatakse uuritavate nähtuste iseloomu ja tulemuste vajalikku täpsust. Induktiivpooli puhul lisandub lihtsaimas aseskeemis induktiivsusele L temaga järjestikku jääv pooli aktiivtakistus r. Kõrgemate sageduste jaoks lisandub täiendava komponendina pooli konstruktiivset mahtuvust arvestav paralleelne mahtuvus C<sub>p</sub>.▼ Aseskeeme kasutatakse elektri- ja elektroonikaseadmetes toimuvate protsesside analüüsimise ja arvutuse lihtsustamise eesmärgil.<ref name="TL"/> Kondensaatorite puhul lisandub aseskeemi täiendava komponendina dieletrilist kadu arvestav paralleeltakistus R<sub>p</sub>. Mõnel juhul tuleb arvesse hoopis läbi dielektriku toimuvat leket arvestav paralleelne lekketakistus.▼ ▲Tüüpilisteks aseskeemi näideteks on [[takisti]], [[induktiivpool]]i ja [[kondensaator]]i aseskeemid. ~~Keerukamad on aktiivsete analoogelementide aseskeemid ([[transistor]] lineaarses režiimis, [[operatsioonvõimendi]] lineaarses režiimis).~~ ▲Induktiivpooli puhul lisandub lihtsaimas aseskeemis induktiivsusele ''L'' temaga ~~järjestikku~~järjestikune ~~jääv pooli~~poolitraadi aktiivtakistus r''R''. Kõrgemate sageduste ~~jaoks~~korral ~~lisandub~~on ~~täiendava~~vaja ~~komponendina~~lisada pooli konstruktiivset mahtuvust arvestav paralleelne mahtuvus ''C''<sub>p</sub>. ~~Väga keerukad on bioloogiliste objektide aseskeemid (vt. [[elektriline bioimpedants]]).~~ ▲Kondensaatorite puhul lisandub aseskeemi ~~täiendava komponendina dieletrilist kadu~~[[dielektrikuskadu]] arvestav ~~paralleeltakistus~~rööptakistus ''R''<sub>p</sub>. Mõnel juhul tuleb ~~arvesse hoopis läbi~~lisada dielektriku ~~toimuvat~~ leket arvestav paralleelne lekketakistus. == Viited == {{Viited}} [[Kategooria:Elektrotehnika]]

Aseskeem: erinevus redaktsioonide vahel