Välkmälu leiutas dr [[Fujio Masuoka]], kui töötas 1980. aastatel [[Toshiba]]s.<ref name="3NZnO" /> Sellele mälutüübileMälutüübile andis nimetuse ''flash'' (ingl 'välk') Masuoka kolleeg Shoji Ariizumi, sest mälu kustutamisprotsess meenutas talle [[välklamp |välklambi]] välgatust. Masuoka esitles oma leiutist [[Elektri- ja Elektroonikainseneride Instituut|Elektri- ja Elektroonikainseneride Instituudi]] 1984. aasta konverentsil [[San Francisco]]s.
[[Intel]] nägi Masuoka leiutises suurt potentsiaali ja esitles esimest [[VÕI-EI|NOR]]-tüüpi välkmälukiipi [[1988]]. aastal.<ref name="taz6B" /> NOR-tüüpi välkmälul on piiratud kustutamis- ja kirjutamiskiirus, aga see on varustatud täielike aadressi- ja andmesiinidega, mis tähendab, et on võimalik otse pöörduda suvalise adresseeritava üksuse poole on võimalik otse pöörduda. Esimestel CompactFlash-mälukaartidel oli NOR-tüüpi mälu, hiljem hakati kasutama odavamat [[NING-EI|NAND]]-tüüpi mälu.
Toshiba tutvustas NAND-tüüpi välkmälu 1987. aastal konverentsil International Electron Devices Meeting. SellelSellisel mälul on lühike kustutamis- ja kirjutamisaeg. Iga mäluelement vajab vähekiibil kiibivähe pindalapinda, mis võimaldab elemente tihedalt pakkida ja seetõttu on hind biti kohta madal. Kuid NAND-tüüpi mälu puhul ei ole võimalik otse pöörduda suvalise aadressi poole.Andmeidotse onpöörduda, vajavaid andmeid tuleb lugeda plokkidest, igasmilles võib plokisolla sadu või isegi tuhandeid bitte. SellesSelle suhtesomaduse poolest sarnaneb NAND-tüüpi mälu teiste selliste sekundaarsalvestitega nagu [[Kõvaketas|kõvakettad]] ja [[Optiline andmekandja|optilised andmekandjad]].
Esimene NAND-tüüpi välkmälu kasutav andmekandja oli [[SmartMedia]]-mälukaart, mis ilmus 1995. aastal. Pärast seda ilmusid [[MultiMediaCard]], [[Secure Digital]], [[Memory Stick]] ja [[xD-Picture Card]]. Uue põlvkonna mälukaardid on üliväikesed., Näiteksnäiteks [[microSD]]-kaardi pindala on umbes 1,5 cm<sup>2</sup>., Sellestkuid hoolimata mahutab microSD-kaartmahutavus kuni 32 GB.<ref name="32gb-support" />
[[Pilt:Flash erase.svg|pisi|NOR-mäluelemendi ujupaisu (''floating gate'') laengu kustutamine ([[Tunneliefekt |tunneldamise]] teel).<br>Ujupaisu eraldab transitori lätte (''source'') ja neelu (''drain'') vahelisest kanalist [[dielektrik]]una toimiv [[oksiid]]ikiht paksusega 200 Å = 0,2 [[nano]]meetrit]]
