MRAM: erinevus redaktsioonide vahel
Eemaldatud sisu Lisatud sisu
P HC: lisatud Kategooria:Arvuti mälu |
P pisitoimetamine |
||
7. rida:
Erinevalt tavalisest muutmälutehnoloogiast ei salvesta MRAM-mälu andmeid mitte elektri-, vaid magnetlaengute abil. Lihtsaima MRAMi konfiguratsiooni puhul on elemendid moodustatud kahest, õhukese isolatsioonikihiga eraldatud [[ferromagnetism|ferromagnetilisest]] plaadist, millest kumbki suudab hoida magnetvälja. Üks kahest plaadist on kindlale polaarsusele seatud püsimagnet, teist välja on mälu salvestamiseks võimalik muuta nii, et see oleks vastavuses ülejäänud väljaga.
Kõige lihtsam meetod mälust lugemiseks on elemendi [[elektritakistus
valitakse (tavaliselt) seotud [[transistor
läbi elemendi maandamiseks. Magnetilise tunneli mõju tõttu muutub
Andmed kirjutatakse elementidesse erinevate vahenditega. Kõige lihtsamal juhul jääb iga element kirjutamisridade paari vahel täisnurga all üksteise kohal või all elemendi suhtes. Kui vool on neid läbinud, siis tekib [[Elektromagnetiline induktsioon
[[
Teine lähenemisviis, '''toggle režiim''', kasutab multi-step kirjutamist muudetud mitmekihiliste elementidega. Lahter on modifitseeritud nii, et see sisaldaks "kunstliku antiferromagnetit", kus magnetvälja orientatsiooni edasi-tagasi üle pinna, nii et nii kinnitatud ja vaba kihid, mis koosnevad mitmekihilistest tornid isoleeritud õhuke "liidese kihiga". Saadud kihtidel on ainult kaks stabiilseteks olekut, mida saab ümber lülitada ühest teistele ajastades kirjutamise voolu kahel real nii et üks on veidi hiljem kui teine, seeläbi "pööravad" välja. Igasugune pinge mis on vähem kui täielik pinge mis on vajalik kirjutamiseks, suurendab flippimise resistensust. See tähendab, et teised elemendid mis asuvad ühe kirjutus rea liinil ei kannata pool-valiku probleemi. Seega on võimalik väiksemad elementide suurused.
Üks uuem tehnika, spinnülekande pöördemoment (STT) (inglise keeles ''spin transfer switching''), kasutab keerdjoondatud ("polariseeritud") [[elektron]]e, et tekitada pöördemoment domeenil. Spetsiifiliselt, kui elektronid mis voolavad kihti peavad muutma oma pööret, siis see arendab pöördemomenti, mis kantakse lähedal olevale kihile. See vähendab voolu suurust mida on vaja, et kirjutada need elemendid, mistõttu on seda vaja umbes sama palju kui lugemis protsessi jaoks.
Muud võimalikud seadistused sisaldavad "[[:en:Thermal Assisted Switching|termiliselt abistatud üleminekud]]" (TAS-MRAM), mis kuumeneb kiiresti (meenutades [[:en:phase-change memory|järk-muutus mälu]]) [[:en:magnetic tunnel junction|magnetilise tunneli ristmiku]] kirjutamisprotsessi ajal ja hoiab MTJs stabiilselt külmema temperatuuri juures ülejäänud ajast;
<ref name="DZNOn" />
31. rida ⟶ 30. rida:
*2003 – toodi turule 128 kbit MRAM-kiipi, mis oli toodetud 0,18-mikromeetrisel tehnoloogial
2004
*Juuni – Infineon teatas 16
*September – MRAM sai Freescale’i standardtooteks
*Oktoober – Taiwani arendajad lõid 1-megabitise MRAM TSMC ettevõttes.
41. rida ⟶ 40. rida:
*Märts – Cypress loobub MRAM-i arendusest ja müüb enda MRAMi arendusosakonna maha. Põhjenduseks toodi, et nad arvavad, et MRAM jääb igavesti nišitooteks ja ei suuda SRAMi asendada.
*Juuni – Honeywell avaldas 1-megabitise 0,15-mikromeetrise tehnoloogiat kasutava MRAMi spetsifikatsiooni.
*August – suudeti luua 2
*November – Renesas Technology ja Grandis teevad koostööd, et arendada välja 65
*Detsember – Sony teatas esimesest laboratooriumis toodetud ''spin torque transfer'' tehnoloogial MRAMist, millega saavutati oluline voolutarbimise kokkuhoid ja mille tõttu suudeti mälurakud mõõtmetelt veelgi väiksemaks teha.
*Detsember – Freescale Semiconductor teatab avalikkusele MRAMist, mis kasutab isolaatorina alumiiniumoksiidi asemel magneesiumoksiidi. Niimoodi saavutati õhem tunnel, see aga omakorda vähendab tarbitava voolu hulka kirjutamistsükli ajal.<ref name="Powerpoint" />
58. rida ⟶ 57. rida:
Suur magnettakistus on oluline, et saavutada kõrget signaali väärtus mäluelemendist, eriti kui tahetakse kiiresti lugemeid saada.
Kiire lugemi saamiseks on vaja magnetilise tunneli kõrget takistust, seda saavutatakse viimase õhukese paksusega. Kusjuures takistust saab mõningal määral juhtida viimase paksust muutes.
Kuna magnettakistus ei muutu temperatuurist (alles [[Curie punkt]]i ~500
See, et pinge väheneb suurema TMRi juures, on halb just mäluelemendi väärtuse lugemise seisukohalt.
Boldis oleva näitaja suhtes on MRAMil eelis – MRAMil on olematu andmete uuendamiseks vajatav energiakulu, lõpmatu arv kirjutamise võimalus mäluelementi, madal kirjutamise energiakulu võrreldes [[välkmälu]]ga.
==Kasutatakse==
77. rida ⟶ 76. rida:
*patareiga varustatud SRAM-i asendaja <- pikem tööaeg
*andmeid logisse kirjutavad mälud (''black box'')
*''Personal Life Recorder'' – utoopiline audio-videosalvesti inimese keha küljes, mis salvestab kõik inimese eluajal kogetu. MRAM teeb selle võimalikuks tänu sellele, et MRAMi eeldatav andmemaht ruumalaühiku kohta on ligi 400 korda tihedam kui seni maailma kõige tihedama (''high density'') HDD oma.
==Konkurendid==
91. rida ⟶ 90. rida:
==Viited==
{{viited|allikad=
<ref name="Powerpoint">http://www.physic.ut.ee/instituudid/efti/loengumaterjalid/mmm/Kristo%20Nikkolo.ppt</ref>▼
<ref name="TCYqf">[http://www.physorg.com/news8655.html "Renesas, Grandis teha koostööd arendamine 65 nm MRAM Kasutatakse Spin Torque Transfer "], 1. detsember 2005</ref>
<ref name="83b7X">[http://www.license.umn.edu/Products/Lower-Switching-Current-for-Spin-Torque-Transfer-in-Magnetic-Storage-Devices-such-as-Magetoresistive-Random-Access-Memory-%28MRAM%29__Z09007.aspx Lower Switching Current for Spin-Torque Transfer in Magnetic Storage Devices such as Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)] University of Minnesota (vaadatud 15. augustil 2011)</ref>
97. rida ⟶ 95. rida:
<ref name="C53yL">http://www.crocus-technology.com/pdf/BH GSA Article.pdf</ref>
<ref name="DZNOn">[http://www.nve-spintronics.com/mram-operation.php "Kuidas MRAM Töötab"]</ref>
▲<ref name="Powerpoint">http://www.physic.ut.ee/instituudid/efti/loengumaterjalid/mmm/Kristo%20Nikkolo.ppt</ref>
}}
|