Erinevus lehekülje "Transistor" redaktsioonide vahel

Eemaldatud 165 baiti ,  1 aasta eest
P
pisitoimetamine
P (HC: Kategooria:Transistorid uus sortimisvõti: " ")
P (pisitoimetamine)
'''Transistor''' (ingl '''''trans'''fer'' üle kandma + ''res'''istor''''' takisti) on kolme [[väljaviik|väljaviiguga]] [[pooljuht]]seadis ehk triood [[elektriahel]]ate lülitamiseks ja [[elektrisignaal]]ide võimendamiseks. Transistori abil saab ühe elektrisignaali ‒ sisendsignaali ‒ abil juhtida ehk tüürida teist elektrisignaali ‒ väljundsignaali.
 
Transistor on [[elektroonikalülitus]]te tähtsaim koostisosa [[Elektroonika|elektroonikaselektroonika]]s, [[informatsiooni- ja kommunikatsioonitehnoloogia|info- ja sidetehnikas]] ning [[jõuelektroonika]]s. Peamiselt valmistatakse transistore [[integraallülitus|integraallülituste]]te ehk [[Mikrokiip|mikrokiipidemikrokiip]]ide sees, kuid ka eraldi seadistena.
 
Enamiku transistoride alusmaterjal on [[pooljuht]] [[räni]]. Kõrgsagedusseadiste jaoks on kasutusel ka [[galliumarseniid]] ja teised pooljuhtmaterjalid. Ka jõutransistorides on kasutusel peamiselt räni, kuigi kasutatakse ka teisi kõrgema sulamistemperatuuriga pooljuhtmaterjale.
 
[[Pilt:Transistor-photo.JPG|pisi|Transistorid]]
==Ajalugu==
=== Eelkäijad ===
Varasemal ajal kasutati samal otstarbel, milleks nüüd kasutatakse transistore, [[Triood|trioodetriood]]e ja teisi [[elektronlamp]]e ehk raadiolampe, aga signaali diskreetseks sisse- ja väljalülitamiseks kasutati [[elektromagnetiline relee|releesid]] jt. lülitamiseks sobivaid elektri- ja elektroonikaseadiseid.
 
Transistoril, nagu ka elektronlambil, on pidev [[sisend-väljund-karakteristik]]. Lülitina kasutamisel antakse transistori sisendile diskreetne juhtsignaal, mille üks diskreetne väärtus viib transistori piisavalt avatud (juhtivasse) olekusse, teine aga sulgeb transistori. Tänapäeval kasutatakse ka elektronlampe, aga väga vähe, sest transistoril on elektronlambi ees mitmeid eeliseid.
 
===Esimesed transistorid===
[[Pilt:Replica-of-first-transistor.jpg|thumbpisi|Maailma esimene transistor]]
Esimene transistori [[patent]] anti füüsik [[Julius Edgar Lilienfeld]]ile 1925. aastal. Patendikirjeldus sarnanes väga selle seadme omaga, mida tänapäeval tuntakse väljatransistori nime all. Ka 1934. aastal patenteeris saksa leiutaja [[Oskar Heil]] sarnase seadme.
 
1942. aastal eksperimenteeris järgmine sakslane [[Herbert Mataré]] [[radar]]isüsteemile anduri väljatöötamisel niinimetatud "topeltdioodidega". Tema loodud seadmel oli pooljuhtaluse peal kaks eraldiseisvat, kuid väga lähestikku asetsevat metallkontakti. Leiutisega töötades avastas ta nähtusi, mida ei olnud võimalik selgitada kahe iseseisvalt toimiva dioodi tööga. Nende nähtuste uurimisest kasvas välja algeline idee bipolaartransistori loomiseks.
 
1947. aastal avastasid [[Ameerika Ühendriigid|Ameerika Ühendriikide]] teadlased [[John Bardeen]] ja [[Walter Brattain]], et kui panna germaaniumikristalli külge kaks kullast kontakti, siis väljundis saadava signaali võimsus on suurem sisendsignaali omast. [[William Shockley]] nägi selles avastuses suurt potentsiaali ning töötas paar kuud avastatud nähtuse mõistmiseks. Tema töö laiendas oluliselt teadmisi pooljuhtide olemusest ja nendega seotud nähtustest.
 
Esimene ränialuseline transistor töötati välja [[Texas Instruments]]<nowiki/>is [[Gordon Teal]]i poolt aastal 1954. Esimese [[MOSFET]] transistori (metall-oksiid-pooljuht väljatransistori) valmistasid teadlased [[John Atalla]] ja [[Dawon Kahng]] 1960. aastal.
 
=== Transistori eelised ja puudused [[elektronlamp|elektronlambiga]] võrreldes===
*Kiirema töövalmidusega – transistor üldjuhul ei vaja soojenemist töörežiimi jõudmiseks.
 
Puudused:
 
*Suurem tundlikkus tugevate [[elektromagnetväli|elektromagnetväljade]]
|-
| [[Pilt :BJT PNP symbol.svg|80px]]
| pnp-[[bipolaartransistor]] <br/> (PNP-BJT)
|-
| [[Pilt:JFET N-Channel Labelled.svg|80px]]
|-
| [[Pilt:JFET P-Channel Labelled.svg|80px]]
| p-kanaliga pn-siirdega [[väljatransistor]] <br/> (P-JFET)
|-
| [[Pilt:IGFET N-Ch Dep Labelled.svg|90px]]
| p-kanaliga küllustüüpi MOS-transistor <br/> (enhancement-mode P-MOSFET)<br /><small>(pingestamisel indutseeritava p-kanaliga)</small>
|-
|[[FilePilt:IGBT symbol.gif|70px]]
|Isoleeritud paisuga bipolaartransistor <br/> (IGBT)<br /><small> G ‒ pais, C ‒ kollektor, E ‒ emitter </small>
|}
==Põhiliigid==
Transistoride põhirühmad on
*unipolaartransistorid (uni- < ladina k ''unus'' üks + ''polos'' kreeka k poolus) ehk [[väljatransistor]]idväljatransistorid ja
*[[bipolaartransistor]]idbipolaartransistorid (bi- < ladina k ''bis'' kahe-).
 
Väljatransistoride töös osalevad ainult üht liiki [[laengukandja]]d ‒ [[elektron]]id või augud, bipolaartransistorides aga nii elektronid kui ka augud, seega kaht liiki laengukandjad. Põhimõtteline erinevus on ka transistori väljundvoolu tüürimise (juhtimise) viisis: väljatransistoride korral tüüritakse väljundvoolu sisendpingega, bipolaartransistoridel sisendvooluga. Kuid see erinevus on väga tinglik
 
==Kasutamine==
Transistore kasutatakse peaaegu igas [[elektroonikalülitus|elektroonikalülituses]]es ja nad on tavaliselt teostatud [[integraallülitus]]te koosseisus, kus nad töötavad enamasti elektrooniliste lülititena. Eraldi komponentidena on transistorid kasutusel mitmesugustes elektritoitelülitustes (suure võimsusega [[vaheldi]]tes, [[alaldi]]tes, [[impulsstoiteallikas|impulsstoiteallikates]]), samuti [[analoogelektroonika]]s, näiteks helisagedusvõimendite võimsusvõimendites, kuid siingi on võimsustransistorid enamasti ühel kiibil võimsusvõimendi teiste elementidega.
 
Arvuliselt kõige enam transistore on mitmesugustes digitaaltehnika komponentides, mille kiibi mõne ruutmillimeetri suurusel pinnal võib olla transistoristruktuure miljonites ja isegi miljardites. Nende väljatransistoride suurust väljendatakse kanali pikkusega, mida tänapäeval mõõdetakse kümnetes nanomeetrites (üks nanomeeter on üks miljondik millimeetrit).
 
==Vaata ka==
*[[Pooljuht]]
*[[pn-siire]]
*[[Bipolaartransistor]]
*[[Väljatransistor]]
*[[Grafeentransistor]]
*[[Fototransistor]]
75 790

muudatust