Transistor: erinevus redaktsioonide vahel
Eemaldatud sisu Lisatud sisu
P HC: Kategooria:Transistorid uus sortimisvõti: " " |
P pisitoimetamine |
||
1. rida:
'''Transistor''' (ingl '''''trans'''fer'' üle kandma + ''res'''istor''''' takisti) on kolme [[väljaviik|väljaviiguga]] [[pooljuht]]seadis ehk triood [[elektriahel]]ate lülitamiseks ja [[elektrisignaal]]ide võimendamiseks. Transistori abil saab ühe elektrisignaali ‒ sisendsignaali ‒ abil juhtida ehk tüürida teist elektrisignaali ‒ väljundsignaali.
Transistor on [[elektroonikalülitus]]te tähtsaim koostisosa [[
Enamiku transistoride alusmaterjal on
[[Pilt:Transistor-photo.JPG|pisi|Transistorid]]
==Ajalugu==
=== Eelkäijad ===
Varasemal ajal kasutati samal otstarbel, milleks nüüd kasutatakse transistore, [[
Transistoril, nagu ka elektronlambil, on pidev [[sisend-väljund-karakteristik]]. Lülitina kasutamisel antakse transistori sisendile diskreetne juhtsignaal, mille üks diskreetne väärtus viib transistori piisavalt avatud (juhtivasse) olekusse, teine aga sulgeb transistori. Tänapäeval kasutatakse ka elektronlampe, aga väga vähe, sest transistoril on elektronlambi ees mitmeid eeliseid.
===Esimesed transistorid===
[[Pilt:Replica-of-first-transistor.jpg|
Esimene transistori [[patent]] anti füüsik [[Julius Edgar Lilienfeld]]ile 1925. aastal. Patendikirjeldus sarnanes väga selle seadme omaga, mida tänapäeval tuntakse väljatransistori nime all. Ka 1934. aastal patenteeris saksa leiutaja [[Oskar Heil]] sarnase seadme.
1942. aastal eksperimenteeris järgmine sakslane [[Herbert Mataré]] [[radar]]isüsteemile anduri väljatöötamisel niinimetatud "topeltdioodidega". Tema loodud seadmel oli pooljuhtaluse peal kaks eraldiseisvat, kuid väga lähestikku asetsevat metallkontakti. Leiutisega töötades avastas ta nähtusi, mida ei olnud võimalik selgitada kahe iseseisvalt toimiva dioodi tööga. Nende nähtuste uurimisest kasvas välja algeline idee bipolaartransistori loomiseks.
1947. aastal avastasid [[Ameerika Ühendriigid|Ameerika Ühendriikide]] teadlased [[John Bardeen]] ja [[Walter Brattain]], et kui panna germaaniumikristalli külge kaks kullast kontakti, siis väljundis saadava signaali võimsus on suurem sisendsignaali omast. [[William Shockley]] nägi selles avastuses suurt potentsiaali ning töötas paar kuud avastatud nähtuse mõistmiseks. Tema töö laiendas oluliselt teadmisi pooljuhtide olemusest ja nendega seotud nähtustest.
Esimene ränialuseline transistor töötati välja [[Texas Instruments]]
=== Transistori eelised ja puudused [[elektronlamp|elektronlambiga]] võrreldes===
31. rida:
*Kiirema töövalmidusega – transistor üldjuhul ei vaja soojenemist töörežiimi jõudmiseks.
Puudused:
*Suurem tundlikkus tugevate [[elektromagnetväli|elektromagnetväljade]]
46. rida:
|-
| [[Pilt :BJT PNP symbol.svg|80px]]
| pnp-
|-
| [[Pilt:JFET N-Channel Labelled.svg|80px]]
52. rida:
|-
| [[Pilt:JFET P-Channel Labelled.svg|80px]]
| p-kanaliga pn-siirdega
|-
| [[Pilt:IGFET N-Ch Dep Labelled.svg|90px]]
66. rida:
| p-kanaliga küllustüüpi MOS-transistor <br/> (enhancement-mode P-MOSFET)<br /><small>(pingestamisel indutseeritava p-kanaliga)</small>
|-
|[[
|Isoleeritud paisuga bipolaartransistor <br/> (IGBT)<br /><small> G ‒ pais, C ‒ kollektor, E ‒ emitter </small>
|}
==Põhiliigid==
Transistoride põhirühmad on
*unipolaartransistorid (uni- < ladina k ''unus'' üks + ''polos'' kreeka k poolus) ehk
*
Väljatransistoride töös osalevad ainult üht liiki [[laengukandja]]d ‒ [[elektron]]id või augud, bipolaartransistorides aga nii elektronid kui ka augud, seega kaht liiki laengukandjad. Põhimõtteline erinevus on ka transistori väljundvoolu tüürimise (juhtimise) viisis: väljatransistoride korral tüüritakse väljundvoolu sisendpingega, bipolaartransistoridel sisendvooluga. Kuid see erinevus on väga tinglik
85. rida:
==Kasutamine==
Transistore kasutatakse peaaegu igas [[elektroonikalülitus
Arvuliselt kõige enam transistore on mitmesugustes digitaaltehnika komponentides, mille kiibi mõne ruutmillimeetri suurusel pinnal võib olla transistoristruktuure miljonites ja isegi miljardites. Nende väljatransistoride suurust väljendatakse kanali pikkusega, mida tänapäeval mõõdetakse kümnetes nanomeetrites (üks nanomeeter on üks miljondik millimeetrit).
==Vaata ka==
*[[pn-siire]]
*[[Grafeentransistor]]
*[[Fototransistor]]
|