Isoleeritud paisuga väljatransistor: erinevus redaktsioonide vahel

Kõrge dielektrilise läbitavusega paisudielektriku (''high-k dielectrics'') materjalidena on katsetatud erinevaid ühendeid nagu HfO₂, ZrO₂, TiO₂, Al₂O₃, Ta₂O_5, HfSiO₄, ZrSiO₃. Kõrge k-väärtusega dielektikkihi kasutuselevõtt aitab oluliselt vähendada elektronide tunnelleerumist kanalist paisuelektroodile ning seeläbi vähendada transistori voolutarvet. Lisaks sellele õnnestus uute materjalide tootmiseks kasutusele võetud [[Aatomkihtsadestamine|aatomkihtsadestusmeetodi ]]<nowiki/>abil vähendada defektide arvu dielektriku piirpinnal, mille tõttu vähenes laengukandjate lõksustumine. Alates 2007. aastast ja 45 nm tehnoloogiast kasutatakse Inteli [https://et.wikipedia.org/wiki/Protsessor|arvutiprotsessorite] tootmisel [https://et.wikipedia.org/wiki/Metallid|metallist] paisuelektroodi ning kõrge k-väärtusega dielektrikkihti.<ref name=":1" />

<ref name=":0" /><ref>D’Agostino, F., Quercia, D. "[http://www0.cs.ucl.ac.uk/staff/ucacdxq/projects/vlsi/report.pdf Short-Channel Effects in MOSFETs]" (2000). Kasutatud 27. detsembril 2013.</ref> Mida rohkem transistori mõõtmeid vähendatakse seda rohkem tuleks kanali ala dopeerida. Teisalt muudab kogu ränialuse liigne dopeerimine transistori lävepinge liiga kõrgeks ning lätte ja neelu vahelise siirde läbiöögivoolu madalaks. Seega on tähtis võimalikult täpselt dopeerida ainult teatud alasid mitte kogu kanalit.<ref name=":0" />