Redaktsioon: 27. detsember 2013, kell 15:37 redigeeri Erkiv (arutelu \| kaastöö) 34 muudatust P v2 Märgis: Visuaalmuudatus ← Vanem muudatus		Redaktsioon: 27. detsember 2013, kell 15:41 redigeeri eemalda Erkiv (arutelu \| kaastöö) 34 muudatust PResümee puudub Uuem muudatus →
40. rida: === Metall-oksiid-pooljuht struktuur === Traditsioonilise metall-oksiid-pooljuht struktuuri loomiseks sadestatakse räniwaferile ränidioksiidi kiht ning sellele sadestatakse metalli või polükristallilise räni kile. Kuna ränidioksiid on dielektrik, moodustab loodud struktruur kondensaatori, mille üks elektrood on asendatud pooljuhiga. [[File:MOSFET_Structure_1.png\|thumb\|226x226px]] === Paisuelektroodi materjal === Paisuelektroodi materjali oluliseim omadus on hea [[elektrijuhtivus]]. Viimased paarkümmend aastat on paisu materjalina kasutatud [https://et.wikipedia.org/wiki/Galliumarseniid#Dopeerimine dopeeritud] [[polükristalliline räni\|polükristallilist räni]]. Kuigi räni puhul ei ole tegemist metalliga on polüränil mitmeid häid omadusi mis teevad temast piisavalt hea paisumaterjali:

Isoleeritud paisuga väljatransistor: erinevus redaktsioonide vahel