DDR4 SDRAM: erinevus redaktsioonide vahel
Eemaldatud sisu Lisatud sisu
P pisitoimetamine |
PResümee puudub |
||
6. rida:
== Arendus ja turundus ==
Standardiorganisatsioon [[JEDEC]]
Esmast teavet DDR4 kohta avalikustati juba 2007. aastal<ref name="The H" />. Täiendavaid tehnilisi üksikasju jagas külalisesineja Qimondast 2008. aasta augustis San Franciscos toimunud Inteli arendusfoorumil (IDF)<ref name="The H" /><ref name="inquirer 2008" /><ref name="pc pro 2008" />. DDR4 pidi värskete andmete kohaselt kasutama 30 nm tehnoloogiat ja 1,2 V pinget. 2012. aastal pidid DDR4-mälude kiirused algama 2,133 Gbit/s juurest ning kiiresti jõudma tavakasutajate süsteemides 2,667 gigabitini sekundis. Entusiastidele lubati pakkuda 2013. aastal DDR4-3200 mälusid. Samal aastal pidanuks juba 2667 MHz moodulite toitepinge langema 1 V peale<ref name="inquirer 2008" /><ref name="pc pro 2008" />.
16. rida:
2009. aasta veebruaris teatas Samsung, et nad on arendanud ja valideerinud esimesed 40 nm DRAM-kiibid<ref name="K2vV1" />. See oli "oluline samm" DDR4 suunas, sest teised tootjad alles jõudsid sel ajal 50 nm tehnoloogia laialdasema kasutuseni<ref name="rstnl" />. 2011. aasta jaanuaris teatas Samsung, et on testimiseks tootnud 2 GB DDR4 DRAM-mooduli kasutades tootmisprotsessi 30 nm ja 39 nm vahel<ref name="samsung_1" />. Selle mooduli maksimaalne andmeedastuskiirus oli 2133 Mbit/s 1,2 V toitepinge juures ning kulutas 40% vähem voolu võrreldes samaväärse DDR3-mooduliga<ref name="samsung_1" />.
Kolm kuud hiljem, 2011. aasta aprillis, teatas [[Hynix]] 2400 MT/s kiirusega 2 GB DDR4-moodulite tootmisest. Ülejäänud tehnilistelt näitajatelt sarnanesid moodulid Samsungi omadega (1,2 V ja 30 nm-39 nm). Samuti lisasid nad, et
== Kirjeldus ==
[[Pilt:DDR4 skeem.jpg|pisi|300px|DDR4 juures loobutakse kahe ja kolme kanaliga lähenemisest ehk iga mälukanal
Uued kiibid peaksid ootuste kohaselt kasutama 1,2 V või väiksemat toitepinget<ref name="xbit" /> ning tegema üle kahe miljardi andmeedastuse sekundis. Eelduste järgi turule jõudes on nende kiiruseks 2133 MT/s, tulevikus on aga oodata kiiremaid (kuni 4266 MT/s<ref name="xbit" />) mälusid ning prognoositakse, et 2013. aastal planeeriti langetada toitepinge 1,05 V peale<ref name="Fv2mY" />. Tõenäoliselt esimeste turustatavate DDR4-mälude puhul kasutatakse 32 nm-36 nm tehnoloogiat<ref name="xbit" /> ja 4 Gbit kive<ref name="samsung_1" />.
25. rida:
DDR4 samuti näeb ette muutusi topoloogias. Loobutakse kahe ja kolme kanaliga lähenemisest (mida kasutasid DDR, DDR2 ja DDR3) otseühenduse kasuks, mis tähendab, et iga kanal mälukontrolleris saab olema ühendatud ühe mooduliga<ref name="bit-tech" />. See sarnaneb [[PCI siin|PCI]] üleminekuga [[PCI Express]]iks, kus paralleelsus viidi liidese kontrollerisse, mis arvatavasti lihtsustab ajastusi kiiretes andmesiinides<ref name="bit-tech" />. Digitaalsete kommutaatoritega ühendatud mälupangad võidakse serverite juures kasutusele võtta<ref name="bit-tech" />.
Minimaalne taktsageduseks sai juttude järgi 2133 MT/s seepärast, et DDR3-mälud suutsid juba selle kiiruseni jõuda ning muidu oleks turustamise eelisest ilma jäädud<ref name="xbit" />. Samsungi 2011. aasta jaanuaris loodud näidisel on Techgage'i hinnangul CAS latentsus 13
== Viited ==
| |||