Redaktsioon: 31. juuli 2019, kell 03:51 redigeeri 2001:7d0:83bf:6580:6453:89a7:a8a8:397a (arutelu) Resümee puudub Märgis: Visuaalmuudatus ← Vanem muudatus		Redaktsioon: 31. juuli 2019, kell 09:03 redigeeri eemalda LAviki (arutelu \| kaastöö) Usaldatud kasutajad 3537 muudatust Resümee puudub Uuem muudatus →
8. rida: Pooljuhtseadiste valmistemise kohta vt [[Pooljuhttehnoloogia]]. == Tööpõhimõte ja kasutamine == Suure osa pooljuhtseadiste töö põhineb [[PPn-n siire\|ppn-n siirde]] ~~(ülemineku)~~ omaduste ärakastamisel ([[Pooljuhtdiood\|dioodid]], [[~~Bipolaartransistor\|bipolaartransistorid~~bipolaartransistor]]id, [[Pnpn-siirdega väljatransistor~~\|pn-siirdega välitransistorid~~]]id, [[~~Türistor\|türistorid~~türistor]]id). Tänapäeva elektroonikas on ülekaalukalt kasutusel [[isoleeritud paisuga väljatransistor]]id (MOSFET) komplementaarsete struktuuridena – [[Transistorlüliti#CMOS-lüliti\|CMOS-lülititena]]. CMOS-struktuuridel põhinevad näiteks niisugused suured integraallülitused, nagu [[protsessor]]id, [[kontroller]]id, [[mälu (arvuti)\|mälukomponendid]]. Teise, ja tänapäeval ülekaaluka enamuse moodustava osa töö põhineb nn. väljaefektil ([[Väljatransistor\|välitransistorid]], k.a. [[CMOS\|CMOS-väljatransistorid]]). Nende kasutamisel põhineb valdav enamus tänapäeva [[Arvutitehnika\|arvutitehnikast]]. == Tootmine Eestis ==

Pooljuhtseadis: erinevus redaktsioonide vahel