DDR SDRAM: erinevus redaktsioonide vahel
Eemaldatud sisu Lisatud sisu
PResümee puudub |
P pisitoimetamine |
||
1. rida:
{{keeletoimeta}}
[[Pilt:Generic DDR Memory (Xytram).jpg|
[[Pilt:PQI MDAD-428HA 20101212.jpg|
'''DDR SDRAM''' (''Double data rate synchronous dynamic random access memory'') on arvuti põhimälu [[integraallülitus]].
Võttes võrdluseks ''single data rate'' ([[SDRAM#
Liides kasutab topeltpumpamist (''double pumping''; saadab andmeid kellasignaali tõusval ja langeval serval), et võimaldada aeglasemat [[taktsagedus]]t. Üheks taktsageduse all hoidmise eeliseks on ohutusnõudete vähenemine [[mälu]] ja [[kontroller]]i vahel.
Kui saatmine toimub 64 [[bitt]]i ajaühikus (antud juhul on selleks pool takti), siis DDR SDRAM annab andmeedastuskiiruseks (mälu [[siin]]i taktsagedus) ×2 (kahekordsel määral) ×64 (saadetud bittide arv) / 8 (bittide arv baidis). Seega, siini sagedusel 100 [[MHz]], annab DDR SDRAM maksimaalseks edastuskiiruseks 1600 MB/s.
49. rida:
'''NB!''' See tabel on kinnitatud JESD79F-iks JEDEC-i poolt. Pakendite suurused, mille sees DDR SDRAM on toodetud, on samuti standardiseeritud JEDEC-i poolt.
Erinevate kiirustega DDR SDRAM-idel pole ülesehituselt mingeid erinevusi. Näiteks PC-1600, mis on mõeldud töötama kiirusel 100
DDR SDRAM-id, mis on mõeldud laua[[arvuti]]tele, tuntud ka kui DIMM-id, omavad 184 ühendust (erinevalt SDRAM-i 168 ja DDR2 SDRAM-i 240 ühendusele) ja neid on võimalik eristada SDRAM DIMM-st täkete arvu järgi (DDR SDRAM omab ühte, SDRAM kahte). DDR SDRAM [[sülearvuti]]tele, SO-DIMM, omab 200 ühendust, mis on sama palju kui DDR2 SO-DIMM-il. Nendel kahel variandil on väga sarnased täkked ja nende sisestamisel peab olema hoolas, kui pole kindel, kumma variandiga tegu. DDR SDRAM-id töötavad pingel 2,5 V, erinevalt SDRAM-ist (3,3 V). See võib märgatavalt vähendada elektri tarbimist. Kiibid ja moodulid DDR-400 ja PC-3200 standardiga kasutavad nominaalset pinget 2,6 V.
56. rida:
===Kiibi omadused===
[[Pilt:Integrated circuit on microchip.jpg|
'''DRAM-i sagedus'''
Kiipide mahtu mõõdetakse megabittides või megabaitides, näiteks 256
'''DRAM-i ülesehitus'''
[[Pilt:Square array of mosfet cells read.png|
Kirjalikul kujul 64M×4, kus 64M tähendab paigutatud ühikuid (64 miljonit), ×4 (hääldatakse "4") – bittide arv kiipide kohta, mis on võrdne bittide arvuga ühiku kohta. Need sisaldavad ×4, ×8 ja ×16 DDR kiipe. Kiibid ×4 võimaldavad kasutada arenenud veaparanduse [[Funktsioon (programmeerimine)|funktsioone]], nagu Chipkill, mälu puhastamine ja [[Intel]] SDDC, samas ×8 ja ×16 kiibid on mõnevõrra kallimad.
69. rida:
'''ECC vs non-ECC'''
Moodulid, mis omavad veaparanduskoodi, on märgistatud kui ECC. Moodulid, mis ei oma veaparanduskoodi, nimetatakse non-ECC.
===DRAM-i järgud (samuti tuntud kui read või küljed)===
Moodulitel võib olla 1, 2 või 4 [[järk]]u, aga ainult 1 järk saab olla aktiivne igal ajahetkel. Kui moodulil on kaks või rohkem järke, siis mälukontroller peab [[periood]]iliselt tegema
'''DRAM-seadmete arv'''
114. rida:
==Alternatiivid==
[[
{| class="wikitable"
|-
142. rida:
DDR-i puhvri sügavus on 2 bitti, samas kui DDR2 kasutab 4 bitti. DDR2 müük suurenes 2004. aasta lõpus, kui oli saadavad madala latentsusega mooduleid.
Mälutootjad on väitnud, et ebapraktiline oleks massiliselt toota DDR1 mälu, mille tõhus sagedus on üle 400
==Ühilduvus==
151. rida:
{{DRAM}}
[[Kategooria:SDRAM]]
|