Erinevus lehekülje "Schottky barjäär" redaktsioonide vahel

P
→‎top: pisitoimetamine
P
P (→‎top: pisitoimetamine)
 
Seda nähtust, mida matemaatiliselt kirjeldas [[Walter Schottky]] 1938. a, kasutati juba 1920. aastatel [[detektorraadio]] [[detektor]]is (alaldav kontakt tekkis [[püriit|püriiditükikese]] pinna mingi tundliku punkti ja terava traadiotsa vahel).
 
Schottky barjääriga [[väljatransistor]] on struktuuri ja talitluspõhimõtte poolest samalaadne pn-väljatransistoriga, ületades viimast tunduvalt toimekiiruse ja pinge-voolu karakteristiku tõusu poolest. Legeerimata dielektrilisel [[galliumarseniid|GaAs]]-kristallil on tekitatud rohke doonorlisandiga n<sup>+</sup>-tüüpi lätte- ja neelupiirkonnad; nendevahelise n-tüüpi kanali paksus on suurusjärgus 0,1 &nbsp;µm ja pikkus 1 &nbsp;µm. Kanalile on kantud paisuelektroodina toimiv metallikiht. Negatiivse paisupingega saab muuta kanali juhtivat ristlõiget ja seega tüürida neeluvoolu. Suur sisendtakistus säilib ka kuni 0,5-voldisel positiivsel paisupingel; kõrgemal päripingel siire avaneb.
 
==Vaata ka==
75 746

muudatust