Välkmälu: erinevus redaktsioonide vahel
Eemaldatud sisu Lisatud sisu
34. rida:
[[VÕI-EI|NOR]] kasutab klassikalist kahemõõtmelist ristuvate rea- ja veerujuhtmetega [[maatriks]]it, kus igale ristumiskohale vastab ühe transistoriga mäluelement. Seejuures on reajuhe ühendatud transistori neeluga ja veerujuhe juhtpaisuga. Niisugune ühendusviis võimaldab otse pöörduda iga adresseeritava mälukoha juurde, kuid vajab rohkesti kiibipinda. NOR-mälule on iseloomulik lühike pöördusaeg ja seetõttu suur lugemiskiirus.
[[NING-EI|NAND]] kasutab kolmemõõtmelist massiivi. Selle aluseks on samasugune NOR-maatriks, kuid ühe transistori asemel on igasse
Vastavalt kummagi välkmälu isearustele erinevad ka kasutusalad: NOR näiteks [[protsessor]]ite ja [[kontroller]]ite säilmäluna, NAND [[mälupulk]]ades, [[mälukaart]]ides ja [[pooljuhtketas]]tes.
=== Andmete lugemine ===
NAND-struktuuris antakse samaaegselt paisupingega teiste järjestikku ühendatud transistoride paisudele selline minimaalne pinge, et need oleksid juhtivad signaali 1 läbilaskmiseks.
|