Välkmälus säilitab andmeühikut ([[bitt]]) [[MOSFET]]-transistoriga sarnanev [[elektronseadis]], millel on ilma väljaviiguta lisaelektrood – ujupais (ingl ''floating gate''),. See paikneb juhtpaisu all ja teda eraldabon lätte ning neelu vahelisest kanalist õhukeeraldatud õhukese [[dielektrik]]ukihtukihiga. Transistori elektroodideelektroode sobivasobivalt pingestamisegapingestades saabkantakse ujupaisule kanda [[elektron]]e, niimille et tatulemusena omandab see negatiivse [[elektrilaeng]]u., See laengmis võib jääda ujupaisule püsima pikaks ajaks (aastateks). Laengu olemasolu või puudumine ujupaisul määrab selle, kas mäluelementi salvestatud biti väärtus on 0 või 1väärtuse. NiisugustSellist transistoritransistorit hakati mäluelementides kõigepealt kasutama [[PROM]]-tüüpi püsimälus.
Laengukandjad (elektronid) kanduvad läbi [[dielektrik]]u [[tunneliefekt|Fowler-Nordheimi tunneleerumise]] abil või [[Kuuma elektroni injektsioon|kuumade elektronide injektsiooni]] teel.
Laengukandjad eemaldatakse Fowler-Nordheimi tunneleerumise abil. Fowler-Nordheimi efekt on energeetiliselt efektiivsemtõhusam kui kuumade elektronide injektsioon.
Transistoristruktuuride omavahelise ühendusviisi järgi mälumassiivis eristatakse kaht tüüpi välkmälu: NOR Flash ja NAND Flash. Nimetused NOR ja NAND seostuvad vastavate [[loogikaelement]]ide nimetustegaja.
