CMOS: erinevus redaktsioonide vahel

'''CMOS''' (ingl k sõnadest ''Complementary Metal-Oxide-Semiconductor'' „komplementaarne metall-oksiid-pooljuht“) on [[loogikalülitus]]te rühm ja tehnoloogia. CMOS-tehnoloogial põhineb valdav osa tänapäeval toodetavatest [[integraallülitus]]test, sealhulgas [[mikroprotsessor]]id, [[mikrokontroller]]id, [[SRAM]] -moodulid ja paljud muud digitaalsed [[elektroonikalülitus]]ed. Samuti kasutatakse seda tüüpi lülitusi analoogsignaali seadmetes, näiteks [[transiiver]]ites, [[opvõimendi]]itestes ja [[CCD-sensor]]ites, samuti segasignaaliga (analoog/digitaal-) seadmetes, mille tööpiirkond jääbvõib raadiolaineteulatuda ja[[mikrolained |mikrolainete]] sageduste piirkondasageduspiirkonda.

ja patenteeris 1967. aastal. <ref> http://www.google.com/patents/US3356858 | Low stand-by power complementary field effect circuitry</ref>

CMOS seadmete-lülituste eelisteks on väga väike voolutarve – peamiselt tarbitakse voolu ainult sel ajal, kui transistorid lülituvad ümber juhtivast olekust mittejuhtivasse olekusse; sellest tulenevalt on väike ka soojuseraldus (võrreldes näiteks [[transistor-transistor -loogika]] ehk TTL-iga). CMOS -loogikaelemente on võimalik paigutada kiipides väga tihedalt. See oli ka peamine põhjus, miks CMOS-ist on saanud 1980. aastatest alates ainukasutavainukasutatav tehnoloogia [[lausintegraallülitus]]te ([[:en:VLSI|VLSI]]) kiipide tootmisel.<ref>{{cite book |title= CMOS: circuit design, layout, and simulation |last= Baker|first= R. Jacob |year= 2008 |publisher= Wiley-IEEE |edition= Second |isbn= 978-0-470-22941-5 |page= xxix |pages= 1080}}</ref>

Siiski väga kõrgel töösagedustöösagedusel ei jõua ümberlülitusedümberlülitumine toimuda piisavalt kiiresti ja võib saabuda hetk, mil mõlemad komplementaarpaari transistorid on korraga sisse lülitatudjuhtivad ning lühistavad lülituse lühikeseks ajaks. Ka on metalloksiid-pooljuhtseadised väga tundlikud elektrostaatiliste laengute suhtes ja kui nendega ettevaatamatult ümber käia, võivad nad pöördumatult rikneda.

CMOS -tehnoloogial põhinevates lülitustes on [[loogikaelement|loogikaelemendid]] üles ehitatud komplementaarsete (teineteist täiendavate) sümmeetriliste [[transistor]]ipaaride baasil. Transistorideks on [[MOSFET]]-tüüpi [[väljatransistor]]id, kusjuures ühel neist on juhtiv kanal p-tüüpi ([[aukjuhtivusega]]) ja teisel n-tüüpi ([[elektronjuhtivus]]ega), vastavalt PMOS- ja NMOS-transistorid. Loogikalülitustes töötavad CMOS-paari transistorid lülitina, kusjuures ükskõik kumma sisendsignaali (1 või 0) korral on üks neist transistoridest juhtiv (lüliti on sisse lülitatud) ja teine mittejuhtiv (lüliti on välja lülitatud).

Kui pingenivoo lülituse sisendis muutub kõrgeks (keskmiselt pool toitepingest), siis muutub PMOS-transistor mittejuhtivaks (tema takistusväga suureks) ja NMOS-transistor mittejuhtivaksjuhtivaks, ühendades väljuni maaga, nii et pinge lülituse väljundis muutub peaaegu nulliks.

==ViitedVälislingid==