Erinevus lehekülje "Komplekstakistuse mõõtur" redaktsioonide vahel

resümee puudub
R=Z·cosΦ ja X=Z·sinΦ.
 
Komplekstakistuse parameetrid on reeglina [[sagedus]]<nowiki/>est sõltuvad.<br>
Puhtalt kompleksne mahtuvustakistus sõltub sagedusest pöördvõrdeliselt:<br>
X<sub>C</sub>=1''/''&omega;C.<br>
Puhtalt kompleksne induktiivtakistus sõltub sagedusest võrdeliselt:<br>
X<sub>L</sub>=&omega;L.
 
Induktiivsuse L ja mahtuvuse C mõõtmise seadmete ([[LCR-mõõtur]]<nowiki/>id) puhul on tihti eeldatud, et teised takistuse komponendid (nö. [[parasiitkomponendid]]) praktiliselt puuduvad. Reaalsete reaktiivkomponentide puhul see nii alati ei ole.
 
Reaalsete [[induktiivpool]]<nowiki/>ide puhul on nendeks komponentideks pooli mähise aktiivtakistus, mis ilmneb pooli aseskeemis järjestiktakistusena r, ja parasiitne mahtuvus, mis ilmneb paralleelmahtuvusena C<sub>p</sub>. Kondensaatorite puhul ilmub aseskeemi dielektrilist kadu iseloomustav paralleelne kaotakistus R<sub>p</sub>. Kõrgetel sagedustel võivad nende aseskeemidesse lisanduda veel teisedki parasiitsed elemendid.
2905

muudatust