Püsimälu: erinevus redaktsioonide vahel

 

===Elektrooniliselt kustutatav programmeeritav püsimälu===

'''EEPROM (Electronically Erasable PROM)''' – välja töötatud 1983. aastal, ehituselt sarnane EPROM-iga, aga kodeeritud infot on võimalik kustutada elektri vahendusel. EEPROM-il olevat infot on võimalik muuta ilma spetsiaalsete tööriistadeta ning selle tegemiseks pole tarvis mälu süsteemist eemaldada. Kui EPROM-ilt kustutati kogu mikrokiibi info korraga, siis EEPROM-il saab kustutada ja muuta infot ühe biti haaval – '''EAROM (Elecrically alterable ROM)'''. Bit haaval muutuste tegemine on aeglane ja seega töötas [[Toshiba|Toshiba 1980. aastate keskel]] välja '''Flash EPROM-''' ehk [[välkmälu]], kus infot kirjutatakse ja kustutatakse paljudest mälupesadest koosnevate plokkide kaupa. Nimi Flash tuleneb kujutluspildist, et EEPROM mälu kustutamine toimub nagu fotoaparaadi välk. Välkmälu on kõige laialdasemalt kasutuselolev püsimälu ja võrreldes EPROM-ga on mälupesade vastupidavus oluliselt suurenenud, võimaldades kuni 100 000 kirjutamistsüklit.