Redaktsioon: 14. märts 2013, kell 14:24 redigeeri Legobot (arutelu \| kaastöö) 49 590 muudatust P Robot: muudetud 13 intervikilinki, mis on nüüd andmekogus Wikidata ← Vanem muudatus		Viimane redaktsioon: 16. veebruar 2018, kell 11:50 redigeeri eemalda LAviki (arutelu \| kaastöö) Usaldatud kasutajad 3537 muudatust Resümee puudub
1. rida: {\| class="float-right wikitable" style="float: right" ~~{{lowercase}}~~ \|+ JFETi tingmärgid '''pn-siirdega väljatransistor''' on üks kahest [[väljatransistor]]i põhitüübist.▼ ! n-kanal \|\| p-kanal \|- \| [[Pilt:JFET N-dep symbol.svg\|70px]] \| [[Pilt:JFET P-dep symbol.svg\|70px]] \|} [[Pilt:jfet-070325 (vertikal).svg\|pisi\|350px\|Paisupinge ''U''<sub>GS</sub> mõju n-kanaliga transistori pn-tõkkekihi laiusele]] ▲'''pn-siirdega väljatransistor''' (ingl '''JFET''', sõnades ''junction gate field-effect transistor'') on üks kahest [[väljatransistor]]i põhitüübist. ~~Koosneb kas p- või n-juhtivusega kanalist, mille külge on ühendatud lätte ja neelu elektroodid.~~ Transistoril on [[elektronjuhtivus \|elektron-]] või [[aukjuhtivus]]ega kanal, mille otstesse on ühendatud lätte ja neelu [[elektrood]]id (S ja D). Kanali küljel (või külgedel) paikneb teistpidise juhtivusega paisu (G) tsoon. Erineva juhtivustüübiga kanali ja paisu vahel moodustub laengukandjaist vaene kiht ‒ [[pn-siire]], mis toimib tõkkekihina. ~~Kanali küljel või külgedel paikneb teistpidise juhtivusega paisutsoon. Levinuimad on n-kanaliga väljatransistorid.~~ Levinuimad on n-kanaliga väljatransistorid. s.t [[laengukandja]]ateks on [[elektron]]id; nende liikuvus on mitu korda suurem kui [[aukjuhtivus \|aukudel]]. Õhukeses p-juhtivusega räniplaadis on doonorlisandite [[difusioon \|difundeerimise]] teel tekitatud n-juhtivusega kanal. Selle kanali külgedel on [[aktseptorlisand]]iga tugevalt [[Epitaksia#Dopeerimine \|legeeritud]] p-kiht. Ränidioksiidi kihis olevatelt kontaktpindadelt väljuvad alumiiniumelektroodid n-kanali otstest (läte, neel) ja p-piirkonnast (pais). Aluskristalli p-kiht on harilikult transistori sees ühendatud lättega. Kanali pikkus on mõni mikromeeter ja laius oleneb transistori piirvõimsusest. ~~Kuna pais ja kanal on alati erineva juhtivusega, siis tekib kanali ja paisu vahele tõkkekiht, kui [[pn-siire]] vastupingestada.~~ Transistori normaalrežiimis peab siire olema suletud, s.t suure takistusega. Seepärast rakendatakse paisule lätte suhtes negatiivne pinge. Selle pinge suurendamisel hakkab siirde tõkkekiht laienema peamiselt kanali poole, sest paisus on laengukandjate ‒ aukude ‒ kontsentratsioon palju suurem kui elektronide tihedus kanalis. Kanal aheneb kõige rohkem neelupoolses otsas, sest potentsiaal kanalis tõuseb neelu suunas ja seetõttu kasvab vastavalt ka pn-siirdele rakenduv vastupinge. Mida suurem on vastupinge, seda paksem on pn-siirde tõkkekiht ja mida paksemaks läheb tõkkekiht seda kitsamaks jääb voolu juhtiv kanal. Seega neelu vool hakkab sõltuma paisule rakendatavast vastupingest.▼ ▲Mida suurem on vastupinge, seda paksem on pn-siirde tõkkekiht ja mida paksemaks läheb tõkkekiht seda kitsamaks jääb voolu juhtiv kanal. Seega ~~neelu vool~~neeluvool hakkab sõltuma paisule rakendatavast vastupingest. ~~Selleks, et tõkkekiht laieneks rohkem kanalisse mitte paisu poole, peab olema paisu juhtivus parem kui kanalil.~~ == Vaata ka == ~~Konkreetse väljatransistori iseloomustamiseks kasutatakse väljundi tunnusjoont ja ülekande tunnusjoont.~~ * [[Väljatransistor]] {{Elektroonika}} [[Kategooria:Väljatransistorid~~\| pn-siirdega väljatransistor~~]]

Pn-siirdega väljatransistor: erinevus redaktsioonide vahel