2905
muudatust
resümee puudub
P (sarnanema millele > millega) |
Resümee puudub |
||
|
1942. aastal eksperimenteeris järgmine sakslane [[Herbert Mataré]] [[radar]]isüsteemile anduri väljatöötamisel niinimetatud "topeltdioodidega". Tema loodud seadmel oli pooljuhtaluse peal kaks eraldiseisvat, kuid väga lähestikku asetsevat metallkontakti. Leiutisega töötades avastas ta nähtusi, mida ei olnud võimalik selgitada kahe iseseisvalt toimiva dioodi tööga. Nende nähtuste uurimisest kasvas välja algeline idee bipolaartransistori loomiseks.
1947. aastal avastasid [[Ameerika Ühendriigid|Ameerika Ühendriikide]] teadlased [[John Bardeen]] ja [[Walter Brattain]], et kui panna germaaniumikristalli külge
Esimene ränialuseline transistor töötati välja [[Texas Instruments]]<nowiki/>is [[Gordon Teal]]i poolt aastal 1954. Esimese [[MOSFET]] transistori (metall-oksiid-pooljuht väljatransistori) valmistasid teadlased [[John Atalla]] ja [[Dawon Kahng]] 1960. aastal.
*Mehaaniliselt vastupidavam – elektronlampi kattev klaas läheb kergesti katki ja sisemised detailid kardavad põrutusi.
*Pikema tööeaga – elektronlambid kaotavad töötades aja jooksul oma töövõime, peamiselt [[katood]]i [[Elektroniemissioon|emissiooni]] võime vähenemise tõttu.
*Kiirema töövalmidusega –
Puudusteks on tundlikkus tugeva [[elektromagnetväli|elektromagnetvälja]], ülepingete ja liigvoolude suhtes.
==Kasutamine==
Arvuliselt kõige enam transistore on mitmesugustes digitaaltehnika komponentides, mille kiibi mõne ruutmillimeetri suurusel pinnal võib olla transistoristruktuure miljonites ja isegi miljardites. Nende väljatransistoride suurust väljendatakse kanali pikkusega, mida tänapäeval mõõdetakse kümnetes nanomeetrites (üks nanomeeter on üks miljondik millimeetrit).
| |||