Redaktsioon: 6. veebruar 2017, kell 11:38 redigeeri LAviki (arutelu \| kaastöö) Usaldatud kasutajad 3537 muudatust Resümee puudub ← Vanem muudatus		Redaktsioon: 28. september 2017, kell 10:52 redigeeri eemalda Telempe (arutelu \| kaastöö) 159 muudatust P →‎MOSFETi tehnoloogilise protsessi näide (lihtsustatult): parandatud kirjavead Märgis: Visuaalmuudatus Uuem muudatus →
39. rida: </gallery> <gallery widths="~~100px~~100" perrow="2" caption="3. Aktiivpiirkondade [[legeerimine]] ja ~~passsiveerimine~~passiveerimine"> Fail:TSF42.gif\|Lätte ja neelu pindade legeerimine Fail:TSF43.gif\|Oksiidikihiga katmine (passiveerimiseks) </gallery> [[Väljatransistor]]i kanali pikkusega (lättest neeluni) väljendatakse integraaltehnoloogia arengujärke: esialgsest 3 mikromeetrist (1975) on jõutud 10 nanomeetri tehnoloogiani (2016). == Vaata ka ==

Pooljuhttehnoloogia: erinevus redaktsioonide vahel