MRAM: erinevus redaktsioonide vahel

Lisatud 181 baiti ,  4 aasta eest
P
Korrastasin skripti abil viiteid
P (magneetiline > magnetiline)
P (Korrastasin skripti abil viiteid)
Teine lähenemisviis, '''toggle režiim''', kasutab multi-step kirjutamist muudetud mitmekihiliste elementidega. Lahter on modifitseeritud nii, et see sisaldaks "kunstliku antiferromagnetit", kus magnetvälja orientatsiooni edasi-tagasi üle pinna, nii et nii kinnitatud ja vaba kihid, mis koosnevad mitmekihilistest tornid isoleeritud õhuke "liidese kihiga". Saadud kihtidel on ainult kaks stabiilseteks olekut, mida saab ümber lülitada ühest teistele ajastades kirjutamise voolu kahel real nii et üks on veidi hiljem kui teine, seeläbi "pööravad" välja. Igasugune pinge mis on vähem kui täielik pinge mis on vajalik kirjutamiseks, suurendab flippimise resistensust. See tähendab, et teised elemendid mis asuvad ühe kirjutus rea liinil ei kannata pool-valiku probleemi. Seega on võimalik väiksemad elementide suurused.
 
Üks uuem tehnika,'''spin-ülekanne pöördemoment (STT)''' või'''[[ :en:Spin Transfer Switching |Spin Transfer Switching(inglise k.)]]''', kasutab keerd-joondatud ("polariseeritud") [[elektron]]e, et tekitada pöörde moment domeenil.Spetsiifiliselt, kui elektronid mis voolavad kihti peavad muutma oma pööret, siis see arendab pöördemomenti, mis kantakse lähedal olevale kihile. See vähendab voolu suurust mida on vaja, et kirjutada need elemendid, mistõttu on seda vaja umbes sama palju kui lugemis protsessi jaoks. <ref Namename="physorg.comTCYqf"> [http://www.physorg.com/news8655.html "Renesas, Grandis teha koostööd arendamine 65 nm MRAM Kasutatakse Spin Torque Transfer "], 1. detsember 2005 </ref> on mure, et" klassikalist"-tüüpi MRAM elemendil on raskusi kõrge tiheduse juures kuna pinge, mis on kirjutamise ajal vajalik, see on probleem, mida STT väldib. Sel põhjusel loodavad STT pooldajad, et tehnikat hakatakse kasutama seadmete juures, mis on 65 nm ja väiksem. Negatiivne külg on see, et on vaja säilitada spin-sidusust. Üldiselt nõuab STT kirjutamiseks palju vähem voolu kui tavaline või toggle MRAM. Teadusuuringud selles valdkonnas näitavad, et STT voolu saab vähendada kuni 50 korda kasutades uut komposiitkonstruktsiooni.<ref>[http://www.license.umn.edu/Products/Lower-Switching-Current-for-Spin-Torque-Transfer-in-Magnetic-Storage-Devices-such-as-Magetoresistive-Random-Access-Memory-%28MRAM%29__Z09007.aspx Lowername="83b7X" Switching Current for Spin-Torque Transfer in Magnetic Storage Devices such as Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)] University of Minnesota (vaadatud 15. augustil 2011)</ref> Samas on aga suurema kirjutamiskiiruse rakendamiseks vaja kasutada kõrgemat voolu.<ref>Y. Huai, AAPPS Bulletin, December 2008, vol. 18, no. 6, p.33, name="ejEDD"Spin-Transfer Torque MRAM (STT-MRAM): Challenges and Prospects."</ref>
 
Muud võimalikud seadistused sisaldavad "[[:en:Thermal Assisted Switching|termiliselt abistatud üleminekud]]" (TAS-MRAM), mis kuumeneb kiiresti (meenutades [[:en:phase-change memory|järk-muutus mälu]]) [[:en:magnetic tunnel junction|magnetilise tunneli ristmiku]] kirjutamisprotsessi ajal ja hoiab MTJs stabiilselt külmema temperatuuri juures ülejäänud ajast; <ref> http://www.crocus-technology.com/pdf/BH GSA Article.pdfname="C53yL" </ref> ja "vertikaalne transport MRAM" (VMRAM), mis kasutab voolu läbi vertikaalses veerus, et muuta magnetvälja orientatsiooni, geomeetriline paigutus, mis vähendab kirjutades häireprobleemi ja nii saab seda kasutada suurema tihedusega.
<ref name="DZNOn" />
<ref>[http://www.nve-spintronics.com/mram-operation.php "Kuidas MRAM Töötab"]</ref>
 
==Ajalugu==
*November – Renesas Technology ja Grandis teevad koostööd, et arendada välja 65 nm tehnoloogiaga MRAM.
*Detsember – Sony teatas esimesest laboratooriumis toodetud ''spin torque transfer'' tehnoloogial MRAMist, millega saavutati oluline voolutarbimise kokkuhoid ja mille tõttu suudeti mälu-rakud mõõtmetelt veelgi väiksemaks teha.
*Detsember – Freescale Semiconductor teavitab avalikkust MRAMist, mis kasutab isolaatorina alumiiniumoksiidi asemel magneesiumoksiidi. Niimoodi saavutati õhem tunnel, see aga omakorda vähendab tarbitava voolu hulka kirjutamistsükli ajal.<ref name="Powerpoint"> http://www.physic.ut.ee/instituudid/efti/loengumaterjalid/mmm/Kristo%20Nikkolo.ppt </ref>
 
==Võrdlus==
See, et pinge väheneb suurema TMRi juures on halb justnimelt mäluelemendi väärtuse lugemise seisukohalt.
 
Boldis oleva näitaja suhtes on MRAMil eelis – MRAMil on olematu andmete uuendamiseks vaja minev energiakulu, lõpmatu arv kirjutamise võimalus mäluelementi, madal kirjutamise energiakulu võrreldes [[välkmälu]]ga. <ref name="Powerpoint" />
 
==Kasutatakse==
*Ptareiga varustatud SRAM asendaja <- pikem tööaeg
*Andmeid logivad mälud (black box)
*Personal Life Recorder – utoopiline audio-videosalvesti inimese kehas küljes, mis salvestab kõik inimese eluajal kogetu. MRAM teeb selle võimalikuks tänu sellele, et *MRAMi eeldatav andmemaht ruumalaühiku kohta on ligi 400 korda tihedam kui seni maailma kõige tihedama (high density) HDD oma. <ref name="Powerpoint" />
 
==Konkurendid==
Käsil on projekt, kus luuakse terabaidi (1 TB ~ 1000 GB) suurust holograafilist mälu.
 
Veel üks olulisim võimalik MRAMi konkurent on [[F-RAM]] (ferroelektriline RAM), mis on oma olemuselt sarnane MRAMiga – on korduvkirjutatav, toite eemaldamisel jääb informatsioon mällu jne. F-RAMi eelised praegu turul oleva välkmälu ees: väiksem voolutarve, suurem kirjutuskiirus, palju suurem maksimaalne mälupesasse kirjutusarv (10e 16 3,3V seadme puhul). F-RAM mälukiibid on juba 1990. aastatest turul erinevates seadmetes saadaval, kuid siiamaani pole ta õide puhkenud eelkõige põhjusel, et F-RAM tehnolooiga peab minema väiksemaks (vaja on suuremat andmete tihedust rummala ühiku kohta).<ref name="Powerpoint" />
 
==Allikad==
{{viited|allikad=
<references/>
<ref name="Powerpoint">http://www.physic.ut.ee/instituudid/efti/loengumaterjalid/mmm/Kristo%20Nikkolo.ppt</ref>
<ref name="TCYqf">[http://www.physorg.com/news8655.html "Renesas, Grandis teha koostööd arendamine 65 nm MRAM Kasutatakse Spin Torque Transfer "], 1. detsember 2005</ref>
<ref name="83b7X">[http://www.license.umn.edu/Products/Lower-Switching-Current-for-Spin-Torque-Transfer-in-Magnetic-Storage-Devices-such-as-Magetoresistive-Random-Access-Memory-%28MRAM%29__Z09007.aspx Lower Switching Current for Spin-Torque Transfer in Magnetic Storage Devices such as Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)] University of Minnesota (vaadatud 15. augustil 2011)</ref>
<ref name="ejEDD">Y. Huai, AAPPS Bulletin, December 2008, vol. 18, no. 6, p.33, "Spin-Transfer Torque MRAM (STT-MRAM): Challenges and Prospects."</ref>
<ref name="C53yL">http://www.crocus-technology.com/pdf/BH GSA Article.pdf</ref>
<ref name="DZNOn">[http://www.nve-spintronics.com/mram-operation.php "Kuidas MRAM Töötab"]</ref>
}}
76 060

muudatust