Mitmepaisuline seade: erinevus redaktsioonide vahel

Eemaldatud sisu Lisatud sisu
Suwa (arutelu | kaastöö)
PResümee puudub
Dreamplayer (arutelu | kaastöö)
→‎FinFET: Parandasin trükivea
Märgised: Mobiilimuudatus Mobiiliveebi kaudu
9. rida:
Tänapäeval kasutatakse mõistet FinFET, et kirjeldada pea kõiki mitmepaisulisi transistoreid, mis kasutavad sarnast "uime", hoolimata paisude arvust.
FinFET võimaldab kasutada ka kahte, elektriliselt eraldiseisvat paisu, mis võimaldab vooluringide disainimisel rohkem paindlikkust.<ref>http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?tp=&arnumber=5715611&contentType=Journals+%26+Magazines&queryText%3DDual-+Independent-Gate+FinFETs+for+Low+Power+Logic+Circuits</ref>
Aastal 21022012 hakkas Intel oma tulevate seadmete jaoks kasutama FinFET transistoreid. Inteli FinFETi kujuks tundub aga olevat kolmnurk, mille põhjuseks arvatakse olevat kas kolmnurga parem strukturaalne tugevus ja seetõttu kergem tootmine või suurem pindala ruumala kohta kui ristkülikul, mis annaks parema kiiruse.<ref>http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1261761</ref>
 
===Tri-gate transistor===
{{Anchor|Tri-gate_transistors}}