Mitmepaisuline seade: erinevus redaktsioonide vahel

Eemaldatud sisu Lisatud sisu
CommonsDelinker (arutelu | kaastöö)
Fail Trigate.jpg on eemaldatud, sest kasutaja MichaelMaggs kustutas selle Commonsist. Põhjus: Per c:Commons:Deletion requests/File:Trigate.jpg.
Suwa (arutelu | kaastöö)
PResümee puudub
1. rida:
'''Mitmepaisuline seade''' või '''mitmepaisuline [[transistor]]''' on seade, mis kasutab ühes seadmes rohkem kui ühte [[Väljatransistor|paisu]] ('''gate'''). Need paisud võivad olla ühendatud ühe elektroodi[[elektrood]]i külge, millisel juhul mitme paisu pind käitub kui üksik pais, või võivad olla ühendatud eraldi elektroodide külge. Mitmepaisulised transistorid[[transistor]]id on üks viis, kuidas [[Pooljuht|pooljuhtide]] tootjad üritavad toota järjest väiksemaid [[Mikroprotsessor|mikroprotsessoreid]].
Paljud suuremad firmad, nagu [[AMD]], [[Hitachi]], [[IBM]], [[Intel]] ja teised on maininud mitmepaisuliste transistorite kallal töötamist.{{lisa viide}} Põhiliseks probleemiks sellel on tootmisraskused ja disainiprobleemid, võttes arvesse [[Nanolitograafia|nanolitograafiat]].
 
==Tüübid==
Leidub palju erinevaid mitmepaisulisi transistoreid. Neid võib eristada nii paisude arvu kui ehituse poolest (planaarne või mitteplanaarne).
22. rida ⟶ 23. rida:
Mitmepaisulises transistoris on kanali ümber mitu paisu, mis võimaldab kanali üle paremat elektrilist kontrolli, vähendades voolu kadu kui transistori seis on "väljas". Mitu paisu võimaldab ka rohkem läbilasku kui transistor on "sees". Need eelised tähendavad suuremat kiirust ja väiksemat voolutarvet. Mitteplanaarsed disainid on ka kompaktsemad kui planaarsed transistorid, mis võimaldab pakkida rohkem transistoreid väiksemale alale.
==Viited==
{{viited}}
<references/>
 
[[Kategooria:Transistorid]]