Redaktsioon: 14. juuli 2014, kell 08:51 redigeeri LAviki (arutelu \| kaastöö) Usaldatud kasutajad 3537 muudatust Resümee puudub ← Vanem muudatus		Redaktsioon: 1. september 2015, kell 14:04 redigeeri eemalda Jaanus.kalde (arutelu \| kaastöö) Usaldatud kasutajad 2392 muudatust PResümee puudub Uuem muudatus →
1. rida: '''Isoleeritud paisuga väljatransistor''' (MOSFET) on [[väljatransistor]], milles tüüriva elektriväljaga (paisu ja lätte vahelise pingega) muudetakse [[laengukandja]]te kontsentratsiooni kanalis. Transistori paisu isoleerib kanalist õhuke [[dielektrik]]ukiht, milleks on enamasti olnud [[ränidioksiid]]. Tänapäeval toodetavate [[mikroprotsessor]]ite puhul kasutatakse [[Ränidioksiid\|ränidioksiidi]] asemel muid materjale, mille omadused lubavad paremat energiasäästu ja töökiirust. Paisu [[materjal]]ina on [[Metallid\|metalli]] asemel kasutatud [[Polükristalliline räni\|polükristallilist räni]]. Uusimates tehnoloogiates on pais aga kas osaliselt või täielikult metalne. [[Pilt:MISFET-Transistor Symbole.svg\|pisi\|250px\| '''Isoleeritud paisuga väljatransistoride tingmärgid:'''<br/>'''normal leitend''' (''U''<sub>GS</sub> = 0 korral juhtiv) ‒ formeeritud kanaliga (vaegustüüpi) väljatransistor;<br/>'''normal sperrend''' (''U''<sub>GS</sub> = 0 korral mittejuhtiv) ‒ indutseeritud kanaliga (küllustüüpi) väljatransistor]]

Isoleeritud paisuga väljatransistor: erinevus redaktsioonide vahel