Transistor: erinevus redaktsioonide vahel
Eemaldatud sisu Lisatud sisu
Lehekülg asendatud tekstiga 'EI SPIKERDA Kategooria:Transistorid Kategooria:Lüliti' |
P Tühistati kasutaja 213.168.31.133 (arutelu) tehtud muudatused ja pöörduti tagasi viimasele muudatusele, mille tegi Dexbot. |
||
1. rida:
'''Transistor''' (ingl '''''trans'''fer'' üle kandma + ''res'''istor''''' takisti) on kolme [[väljaviik|väljaviiguga]] [[pooljuht]]seadis [[elektriahel]]ate lülitamiseks ja [[elektrisignaal]]ide võimendamiseks. Transistori abil saab ühe elektrisignaali ‒ sisendsignaali ‒ abil juhtida ehk tüürida teist elektrisignaali ‒ väljundsignaali.
Transistor on [[elektroonikalülitus]]te tähtsaim koostisosa [[informatsiooni- ja kommunikatsioonitehnoloogia|info- ja sidetehnikas]] ning samuti [[jõuelektroonika]]s. Peamiselt valmistatakse transistore [[integraallülitus]]ena mikrokiipidel. Enamiku transistoride alusmaterjal on [[pooljuht]] [[räni]]. Kõrgsagedusseaqdiste jaoks on kasutusel ka [[galliumarseniid]] ja teised materjalid.
[[Pilt:Transistor-photo.JPG|pisi|Transistorid]]
==Ajalugu==
=== Eelkäijad ===
Varasemal ajal kasutati transistoridega samal otstarbel [[elektromagnetiline relee|releesid]] ja [[elektronlamp]]e ehk raadiolampe. Releesid saab kasutada vaid signaali diskreetseks sisse- ja väljalülitamiseks, samas transistoril (ja elektronlambil) on pidev [[väljundkarakteristik]]. Tänapäeval kasutatakse elektronlampe väga vähe, sest transistoril on elektronlambi ees mitmeid eeliseid.
===Esimesed transistorid===
[[Pilt:Replica-of-first-transistor.jpg|thumb|Maailma esimene transistor]]
Esimene transistori [[patent]] anti füüsik [[Julius Edgar Lilienfeld]]ile 1925. aastal. Patendikirjeldus oli väga sarnane seadmele, mida tänapäeval tuntakse väljatransistori nime all. Ka 1934. aastal patenteeris saksa leiutaja [[Oskar Heil]] sarnase seadme.
1942. aastal eksperimenteeris järgmine sakslane [[Herbert Mataré]] [[radar]]isüsteemile anduri väljatöötamisel niinimetatud "topeltdioodidega". Tema loodud seadmel oli pooljuhtaluse peal kaks eraldiseisvat, kuid väga lähestikku asetsevat metallkontakti. Leiutisega töötades avastas ta nähtusi, mida ei olnud võimalik selgitada kahe iseseisvalt toimiva dioodi tööga. Nende nähtuste uurimisest kasvas välja algeline idee bipolaartransistori loomiseks.
1947. aastal avastasid [[Ameerika Ühendriigid|Ameerika Ühendriikide]] teadlased [[John Bardeen]] ja [[Walter Brattain]], et kui panna germaaniumikristalli külge elektrilised kontaktid, siis sellest väljuva elektrivoolu tugevus on oluliselt suurem esialgsest elektrivoolu tugevusest. [[William Shockley]] nägi selles avastuses suurt potentsiaali ning töötas paar kuud avastatud nähtuse mõistmiseks. Tema töö laiendas oluliselt teadmisi pooljuhtide olemusest ning nendega seotud nähtustest.
Esimene ränialuseline transistor töötati välja [[Texas Instruments]]'is [[Gordon Teal]]i poolt aastal 1954. Esimese [[MOSFET]] transistori (metall-oksiid-pooljuht väljatransistori) valmistasid teadlased [[John Atalla]] ja [[Dawon Kahng]] 1960. aastal.
=== Transistori eelised ja puudused [[elektronlamp|elektronlambiga]] võrreldes===
Eelised:
*Palju väiksem – isegi kuni tuhandeid kordi.
*Ökonoomsem – eraldab vähem soojust (töötavad palju madalamal pingel ja puudub hõõgkütteahel).
*Mehaaniliselt vastupidavam – elektronlampi kattev klaas läheb kergesti katki ja sisemised detailid kardavad põrutusi.
*Pikema tööeaga – elektronlambid kaotavad töötades aja jooksul oma töövõime, peamiselt [[katood]]i [[Elektroniemissioon|emissiooni]] võime vähenemise tõttu.
*Kiirema töövalmidusega – transistorit ei pea soojendama enne töörežiimi.
Puudusteks on tundlikkus tugeva [[elektromagnetväli|elektromagnetvälja]], ülepingete ja liigvoolude suhtes.
*Elektronlampe saab kergemini tööle panna suurema võimsusega, sest neid saab konstruktiivselt valmistada suuremana ja oma ehituse tõttu on neid lihtsam jahutada.
{|class="wikitable" style="float: right"
|-
|+ Transistoride tingmärgid
|-
| [[Pilt :BJT NPN symbol.svg|80px]]
| npn-[[bipolaartransistor]] <br/>(lühend inglise k NPN-BJT)<br /><small>B ‒ baas, C ‒ kollektor, E ‒ emitter</small>
|-
| [[Pilt :BJT PNP symbol.svg|80px]]
| pnp-[[bipolaartransistor]] <br/> (PNP-BJT)
|-
| [[Pilt:JFET N-Channel Labelled.svg|80px]]
| n-kanaliga pn-[[väljatransistor]] <br/> (N-JFET) <br /><small>G (''Gate'') ‒ pais, D (''Drain'') ‒ neel, S (''Source'') ‒ läte </small>
|-
| [[Pilt:JFET P-Channel Labelled.svg|80px]]
| p-kanaliga pn-[[väljatransistor]] <br/> (P-JFET)
|-
| [[Pilt:IGFET N-Ch Dep Labelled.svg|90px]]
| n-kanaliga vaegustüüpi MOS-transistor <br/> (depletion-mode N-MOSFET)<br /><small>(sisseehitatud n-kanaliga)</small>
|-
| [[Pilt:IGFET P-Ch Dep Labelled.svg|90px]]
| p-kanaliga vaegustüüpi MOS-transistor<br/> (depletion-mode P-MOSFET)<br /><small>(sisseehitatud p-kanaliga)</small>
|-
| [[Pilt:IGFET N-Ch Enh Labelled.svg|90px]]
| n-kanaliga küllustüüpi MOS-transistor <br/> (enhancement-mode N-MOSFET)<br /><small>(pingestamisel indutseeritava n-kanaliga)</small>
|-
| [[Pilt:IGFET P-Ch Enh Labelled.svg|90px]]
| p-kanaliga küllustüüpi MOS-transistor <br/> (enhancement-mode P-MOSFET)<br /><small>(pingestamisel indutseeritava p-kanaliga)</small>
|-
|[[File:IGBT symbol.gif|upright|70px]]
|Isoleeritud paisuga bipolaartransistor <br/> (IGBT)<br /><small> G ‒ pais, C ‒ kollektor, E ‒ emitter </small>
|}
==Põhiliigid==
Transistoride põhirühmad on
*unipolaartransistorid (uni- < ladina k ''unus'' üks + ''polos'' kreeka k poolus) ehk [[väljatransistor]]id ja
*[[bipolaartransistor]]id (bi- < ladina k ''bis'' kahe-).
Väljatransistoride töös osalevad ainult üht liiki [[laengukandja]]d ‒ [[elektron]]id või augud, bipolaartransistorides aga nii elektronid kui ka augud, seega kaht liiki laengukandjad. Põhimõtteline erinevus on ka transistori väljundvoolu tüürimise (juhtimise) viisis: väljatransistoride korral tüüritakse väljundvoolu sisenppingega, bipolaartransistoridel sisendvooluga.
Väljatransistorid jagunevad struktuurilt
*[[pn-siire|pn-tõkkekihiga]] transistorideks, kus tüüriva elektrivälja mõjul muutub kanali tegevristlõige, ja
*isoleeritud tüürelektroodiga transistorideks, kus elektriväli muudab laengukandjate kontsentratsiooni kanalis, seega kanali takistust.
Esimesi nimetatakse lühemalt pn-väljatransistorideks, teisi isoleeritud paisuga transistorideks, rahvusvaheliselt kasutatav lühend [[MOSFET]]. Viimased ongi kõige laiemalt kasutusel, sest võimaldavad tüürida väljundvoolu praktiliselt võimsusvabalt (madalatel sagedustel).
Unipolaar- ja bipolaartransistoride tehniliselt kasulikud omadused on ühendatud [[isoleeritud paisuga bipolaartransistor]]is (IGBT), kus bipolaartransistori baasiahela voolu tüürib väljatransistor. Niisugune kombinatsioon võimaldab väikese tüürvõimsusega lülitada väljundahelas kõrget pinget ja tugevat voolu.
==Kasutamine==
Transistor kuulub peaaegu igasse [[elektroonikalülitus]]se ja seda enamasti [[integraallülitus]]te koosseisus, kus nad töötavad elektrooniliste lülititena. Eraldi komponentidena on transistorid kasutusel mitmesugustes elektritoitelülitustes (suure võimsusega [[vaheldi]]tes, [[alaldi]]tes, [[impulsstoiteallikas|impulsstoiteallikates]]), samuti [[analoogelektroonika]]s, näiteks helisagedusvõimendite võimsusvõimendites, kuid siingi on võimsustransistorid enamasti ühel kiibil teiste elementidega.
Arvuliselt kõige enam transistore on mitmesugustes digitaaltehnika komponentides, mille kiibi mõne ruutmillimeetri suurusel pinnal võib olla transistoristruktuure miljonites ja isegi miljardites. Nende väljatransistoride suurust väljendatakse kanali pikkusega, mida tänapäeval mõõdetakse kümnetes nanomeetrites (üks nanomeeter on üks miljondik millimeetrit).
==Vaata ka==
*[[Pooljuht]]
*[[Pn-siire]]
*[[Bipolaartransistor]]
*[[Väljatransistor]]
*[[Grafeentransistor]]
{{commonskat|Transistors|Transistor}}
[[Kategooria:Transistorid]]
| |||