Memristor: erinevus redaktsioonide vahel
Eemaldatud sisu Lisatud sisu
P <references /> -> {{Viited}} sest nii on eestikeelne. |
P Parandasin cite-mallide kuupäevade vormistust |
||
5. rida:
[[2011]]. aastal laiendas Leon Chua definitsiooni kõigile passiivsetele muutuva takistusega püsimäluseadmetele, olenemata nende takistuse muutumise mehhanismist.<ref name="chua11">{{citation |last=Chua |first=L. O.|year=2011 |title=Resistance switching memories are memristors |journal=Applied Physics A|volume=102 |issue=4 |pages=765–783|doi=10.1007/s00339-011-6264-9|bibcode = 2011ApPhA.102..765C }}</ref>
See definitsioonilaiendus leidis mõningast kriitikat, kuna leiti, et see on teaduslikult põhjendamata ja et tegu on [[Hewlett-Packard]]i püüdega võimalikult paljud tehnoloogiad enda memristore käsitlevate [[patent]]ide alla saada.<ref name="PaulMarks2012">{{Citation|last=Marks |first=Paul |date=23.
Tänapäeva arendustöö käib memristoride massmäluseadmena kasutuskõlblikuks arendamise ning uute kasutusvaldkondade otsimise kallal.<ref name="RSWvid">{{Citation|url=http://www.youtube.com/watch?v=bKGhvKyjgLY}}</ref>
42. rida:
=== Titaandioksiidil põhinevad memristorid ===
Memristorid sattusid taas avalikkuse huviorbiiti, kui [[Hewlett-Packard|HP]] avaldas pressiteate toimivast pooljuhtmemristorist. Nende labor arendas ristvõre baasil mälu ning neil oli vaja [[lüliti|lüliteid]], millega ristvõre [[elektrood]]e omavahel ühendada ja lahutada. [[Titaandioksiid]]i TiO<sub>2</sub> muutlikku takistust kirjeldati esimest korda [[1960. aastad|1960-ndatel]].<ref>{{Citation|last=Fildes |first=J. |date=13.
Esialgne prototüüp koosnes ühest TiO<sub>2</sub> kihist elektroodide vahel, mis hakkas näitama memristiivseid omadusi, kui talle oli korra rakendatud [[läbilöögipinge]]. Uurides läbilöögi tulemusi [[tunnelmikroskoop|tunnelmikroskoobiga]], saadi aru, et oli tekkinud [[hapnik]]u [[aatom]]ite vaegus ja osa TiO<sub>2</sub> oli asendunud Ti<sub>4</sub>O<sub>7</sub>-ga. Edaspidi katsetati ühe kihi TiO<sub>2</sub> ja ühe kihi Ti<sub>4</sub>O<sub>7</sub>-ga. See seade ei vajanud enam toimimiseks läbilööki. Seadme tööpõhimõte seisneb TiO<sub>2-x</sub> väga heal [[aukjuhtivus]]el võrreldes TiO<sub>2</sub>-ga. Rakendades seadele pinge, liiguvad augud TiO<sub>2</sub>-sse ja tekitavad sellega paksema kihi TiO<sub>2-x</sub>, õhendades samas TiO<sub>2</sub> kihti, mis vähendab seadme takistust. Polarisatsiooni vahetades protsess pöördub. Nende seadmete memristiivsus on pöördvõrdeline TiO<sub>2</sub> kihi paksuse ruuduga, mis tähendab, et nähtus avaldub märkimisväärselt alles nanoskaalal<ref name="RSWvid" />.
50. rida:
2012 aasta mai seisuga oli HP tehnoloogia lülituskiirus 90 ns<ref> {{Citation
|last=Palmer |first=Jason |date=18.
=== Loogika ===
80. rida:
==== Marsruutimine ====
Praeguste FPGA-de struktuurist, energiatarbest ning viivitusest moodustavad ligi 90% loogikablokkide vahelised ühendused. Asendades ühenduskihi lülitused memristoridega (kasutades neid sisuliselt lülititena) on võimalik kiirendada andmetöötlust FPGA-s umbes 2 korda, vähendada pindala umbes 5 korda ja energiatarbimist umbes 1½ korda, seda ühekihilise konstruktsiooni korral.<ref name="mrFPGA">{{cite journal |url=http://dx.doi.org/10.1109/NANOARCH.2011.5941476 | title=mrFPGA: A novel FPGA architecture with memristor-based reconfiguration | publisher=IEEE Computer Society | accessdate=
==== Mälu ====
Eelmisest tööst sõltumatult on uuritud memristoride kasutamist mälu asendamiseks FPGA struktuuris, mis tänapäeval kasutab sisseehitatud [[SRAM]]-komponente või loogikaplokkidest koostatud SRAMi. Sarnaselt eelmise tööga leiti, et jõudluse kasv oleks vähemal 2 korda ühekihilise struktuuri korral ning suurem mitmekihilise korral.<ref name="Liu08">{{cite journal|url=http://doi.ieeecomputersociety.org/10.1109/NANOARCH.2008.4585797 | title=rFGA: CMOS-nano hybrid FPGA using RRAM components | publisher=IEEE Computer Society | accessdate=
=== Masinõppimine ===
| |||