Schottky barjäär: erinevus redaktsioonide vahel
Eemaldatud sisu Lisatud sisu
Allikad ‒ en: Schottky barrier, en:Schottky transistor, de:Detektorempfänger |
PResümee puudub |
||
1. rida:
'''Schottky barjäär''' ehk '''Schottky siire''' on [[potentsiaalibarjäär]], mis kujuneb metalli ja [[pooljuht|pooljuhi]] kontaktpinnas. Harilikult kasutatakse sellist n-pooljuhti, mille elektronide väljumistöö on väiksem kui metallil (väljumistöö on vähim energia elektronvoltides, mis on vajalik elektroni väljutamiseks ainest). Sel juhul difundeeruvad elektronid põhiliselt pooljuhist metalli ja pooljuhi piirikihis moodustub enamuslaengukandjaist (elektronidest) vaene kiht, mida nimetataksegi Schottky barjääriks. Selle kihi paksus ja seega takistus sõltub siirdele rakendatava pinge polaarsusest, nii et siirdel on alaldustoime (ühesuunaline juhtivus).
Seda nähtust, mida matemaatiliselt kirjeldas [[Walter Schottky]] 1938. a, kasutati juba 1920. aastatel [[detektorraadio]] [[detektor]]is (alaldav kontakt tekkis [[püriit|püriiditükikese]] pinna mingi tundliku punkti ja terava traadiotsa vahel).
{{vaata|Schottky diood}}▼
Schottky barjääriga [[väljatransistor]] on struktuuri ja talitluspõhimõtte poolest samalaadne pn-väljatransistoriga, ületades viimast tunduvalt toimekiiruse ja pinge-voolu karakteristiku tõusu poolest. Legeerimata dielektrilisel [[galliumarseniid|GaAs]]-kristallil on tekitatud rohke doonorlisandiga n<sup>+</sup>-tüüpi lätte- ja neelupiirkonnad; nendevahelise n-tüüpi kanali paksus on suurusjärgus 0,1 µm ja pikkus 1 µm. Kanalile on kantud paisuelektroodina toimiv metallikiht. Negatiivse paisupingega saab muuta kanali juhtivat ristlõiget ja seega tüürida neeluvoolu. Suur sisendtakistus säilib ka kuni 0,5-voldisel positiivsel paisupingel; kõrgemal päripingel siire avaneb.
==Vaata ka==
[[Kategooria:Pooljuhid]]
| |||