Pooljuht: erinevus redaktsioonide vahel

Eemaldatud sisu Lisatud sisu
Addbot (arutelu | kaastöö)
P Bot: Migrating 78 interwiki links, now provided by Wikidata on d:q11456 (translate me)
Resümee puudub
1. rida:
'''Pooljuht''' on [[keemiline aine|aine]] või [[keemiline element|element]], mille [[elektrijuhtivus]] on halvem kui [[elektrijuht|elektrijuhil]] ja parem kui [[dielektrik]]ul. Pooljuhtide [[erijuhtivus]] [[toatemperatuur]]il σ = 10<sup>6</sup>...10<sup>–8</sup> S/m.
{{ToimetaAeg|kuu=oktoober|aasta=2009}}
'''Pooljuht''' on [[keemiline aine|aine]] või [[keemiline element|element]], mille [[elektrijuhtivus]] on halvem kui [[elektrijuht|elektrijuhil]] ja parem kui [[dielektrik]]ul.
 
Pooljuhtide hulka kuuluvad mõned [[lihtaine]]dlihtained ([[räni]], [[germaanium]], [[seleen]], [[telluur]], [[arseen]], [[fosfor]] ja teised), palju [[oksiid]]e, [[sulfiid]]e, [[seleniid]]e ja [[telluriid]]e, mõned [[sulam]]idsulamid, paljud [[mineraal]]id jm. Arendatakse ka pooljuhtnanokristallepooljuht-nanokristalle (näiteks [[tuum-kest-struktuuriga pooljuhtnanokristallidpooljuht-nanokristallid).Pooljuhid on enamasti [[kristallstruktuur]]iga ained, s.t nende aatomid või molekulid paiknevad kindla korra kohaselt, moodustades [[kristallivõre]]).
Pooljuhid on väga tundlikud välismõjude ja lisandite suhtes. Peamine iseärasus on elektrijuhtivuse järsk suurenemine [[temperatuur]]i kasvades.
 
Pooljuhid on väga tundlikud välismõjude ja lisandite suhtes. Peamine iseärasusIseloomulik on elektrijuhtivuse järsk suurenemine [[temperatuur]]i kasvades, samuti võõraine aatomite mõjul.
Pooljuhtide [[erijuhtivus]] [[toatemperatuur]]il on 10...10<sup>–6</sup> [[siimens meetri kohta|S/m]].
 
==Pooljuhid [[elektroonika]]s==
Pooljuhid on enamasti [[kristalne aine|kristalsed ained]], aga leidub ka [[vedelik]]ke ja [[amorfne aine|amorfseid aineid]].
[[Elektronseadis]]te valmistamisel kasutatakse lähtematerjalina peamiselt neljavalentset elementi räni (Si) ning kolme- ja viievalentsete ainete ühendit galliumarseniidi (CaAs); pooljuhttehnika algusaegadel kasutati peamiselt neljavalentset elementi germaaniumi (Ge).
[[Pilt:Kovalentside.png|pisi|350px|Räni aatomi kovalentsidemed (a) ja kristallivõre tasapinnaline kujutis (b)]]
Räni ja germaaniumi iga aatomi väliskihis on neli [[valentselektron]]i, milledest igaüks tiirleb ühtlasi ümber naaberaatomi (vt joonis a). Niiviisi iga aatomipaari ümber tiirlevad kaks valentselektroni moodustavad [[kovalentside]]me. Tasapinnas kujutatakse kovalentsidemeid aatomivaheliste joontega (joonis b).
 
Absoluutsest nullist kõrgemal temperatuuril lahkub osa valentselektrone aatomist, muutudes vabadeks elektronideks. Lahkunud elektroni kohta kovalentsidemes nimetatakse [[auk (füüsika)|auguks]]. Auku võib vaadelda laengukandjana, millel on elektroni laenguga võrdne, kuid märgilt, vastupidine positiivne [[elektrilaeng|laeng]]. Elektroni laeng on ‒1,6•10<sup>‒19</sup> C ja augu laeng on +1,6•10<sup>‒19</sup> C ([[kulon]]it).
Pooljuhtide hulka kuuluvad mõned [[lihtaine]]d ([[räni]], [[germaanium]], [[seleen]], [[telluur]], [[arseen]], [[fosfor]] ja teised), palju [[oksiid]]e, [[sulfiid]]e, [[seleniid]]e ja [[telluriid]]e, mõned [[sulam]]id, paljud [[mineraal]]id jm. Arendatakse ka pooljuhtnanokristalle (näiteks [[tuum-kest-struktuuriga pooljuhtnanokristallid]]).
 
Puhtas pooljuhis on vabade elektronide arv võrdne aukude arvuga, sest kovalentsideme katkemisel moodustuvad paarikaupa üks vaba elektron ja auk. Niisuguse puhtpooljuhi elektrijuhtivus ‒ omajuhtivus ‒ on madalal temperatuuril lähedane dielektriku omale. Temperatuuri tõustes kasvab vabade elektronide hulk kiiresti ning vastavalt väheneb pooljuhi eritakistus.
Levinumad pooljuhid on germaanium ja räni. Germaaniumi [[keelutsoon (füüsika)|keelutsooni]] laius on 0,72 [[elektronvolt|eV]], ränil 1,12 eV. Germaanium ja räni on neljavalentsed ained. Nende aatomid paiknevad kuubi tippudel ja on omavahel seotud [[kovalentne side|kovalentse]] ehk paariselektroonilise sidemega. Kui pooljuht on puhas, siis on ta [[absoluutne nulltemperatuur|absoluutse nulli]] juures dielektrik. Temperatuuri või kiirguse mõjul võib elektron lahkuda kohalt, sinna jääb vaba koht ehk nn auk. Auku vaadeldakse positiivse elementaarlaenguna. Elektroni laeng on -1,6*10<sup>–19</sup> [[kulon|C]] augulaeng on +1,6*10<sup>–19</sup> C.
 
Kristallivõres oleva augu võib täita teisest kovalentsidemest eraldunud elektron; seda nähtust nimetatakse elektroni ja augu [[rekombinatsioon]]iks. Seega põhjustab elektronide üleminek ühest sidemest teise aukude vastassuunalise liikumise.
 
Enamiku [[pooljuhtseadis]]te talitluseks on vaja, et pooljuhi ühes piirkonnas oleksid ülekaalus vabad elektronid, teises, vahetult kõrvalasuvas piirkonnas augud. Sellise olukorra saab luua sobiva lisandaine aatomite manustamise teel pooljuhi kristallivõresse. Lisandaine sisseviimist nimetatakse legeerimiseks (nagu [[metallurgia]]ski); harvem kasutatakse selles tähenduses terminit doteerimine (saksa k ''Dotierung'') või dopeerimine (inglise k ''doping'').
[[Pilt:Lisandaine.png|pisi|350px|Viievalentse (a) ja kolmevalentse (b) lisandaine aatom pooljuhi kristallivõres]]
Kui asendada räni kristallivõres põhiaine aatom sellise aine (näiteks fosfori, P) aatomiga, millel on viis valentselektroni, siis neli neist kulub vajalike kovalentsidemete moodustamiseks, viies aga jääb vabaks ja võib teatud tingimustel aatomist eemalduda (joonis a). Lisandi aatom muutub siis positiivseks [[ioon]]iks.
 
Niisuguseid lisandaineid, mis annavad pooljuhile juhtivuselektrone. nimetatakse doonoriteks (ladina k ''donore'' annetama). Seejuures on määrava tähtsusega asjaolu, et juhtivuselektronide arvu oluliseks suurendamiseks on vaja väga väikest lisandikogust. Nii vähendab 1 mikrogramm fosforit 50 grammis ränis selle materjali eritakistust 100 000-kordselt.
 
Viievalentse ainega legeeritud pooljuhis on põhilisteks elektrivoolu kandjaiks elektronid. Auke on selles ainult sedavõrd, kuivõrd neid tekib põhiaine aatomite kovalentsidemete katkemise tõttu termilise või mõne muu mõju, valguse valguskiirguse toimel.
 
Liikuvaid laengukandjaid, mis on pooljuhis ülekaalus (vaadeldaval juhul elektrone), nimetatakse enamuslaengukandjateks ning vastasmärgilisi laengukandjaid vähemuslaengukandjateks. Pooljuhti, kus enamuslaengukandjad on negatiivse laenguga, nimetatakse n-tüüpi pooljuhiks ehk n-pooljuhiks ja tema juhtivust elektronjuhtivuseks.
 
Kui sisestada pooljuhi kristalli mõne kolmevalentse aine (näiteks alumiiniumi, Al) aatomeid, moodustavad need kovalentsidemeid põhiaine kolme aatomiga, kusjuures põhiaine neljanda aatomiga jääb side katkenuks. (joonis b). Niisiis jääb kristallivõresse tühi koht, mille võib hõivata mõni vaba elektron. Seda tühja kohta nimetatakse auguks.
 
Et kolme kovalentsidemega lisandiaatom on elektriliselt neutraalne, muudab augu lahkumine (tegelikult elektroniga täitumine) selle aatomi negatiivselt laetuks, s.o negatiivseks iooniks. Neid lisandaineid, mis hõivavad kristallivõres elektrone, nimetatakse [[aktseptor]]iteks (ladina k ''acceptor'' vastuvõtja). Enamuslaengukandjateks on nüüd augud. Et neil on positiivne laeng, nimetatakse sellist materjali p-tüüpi pooljuhiks ehk p-pooljuhiks. Sel juhul on tegemist [[aukjuhtivus]]ega.
 
==Kirjandus==
Lembit Abo. Elektroonikakomponendid. Tallinn,1997, lk 7‒9.
 
== Vaata ka ==
*[[Elektronjuhtivus]]
*[[Aukjuhtivus]]
* [[pn-siire]]
* [[Monokristall]]
 
[[Kategooria:Pooljuhid| Pooljuhid]]
[[Kategooria:Elektromagnetism]]
[[Kategooria:Tahkisefüüsika]]