|
[[File:Diode current wiki.png|thumb|500px|left|pn-siirdega dioodi I-V karakteristik.]]
Väga kõrgel vastupingel, üle tipp vastupinge, toimub protsess, mida kutsutakse tagurpidiseks lagunemiseks, mis põhjustab suure tõusu voolus, mis tavaliselt kahjustab dioodi säärasel viisil, et see ei tööta enam. Laviindioodid on aga just selles piirkonnas töötamiseks loodud, aga seevastu Zener dioodile tipp vastupinge pole rakendatav, sest Zener dioodis on suure lisandikogusega pn-siirdeala, mis lubab elektronidel p-tüüpi pooljuhi valentsvööndist n-tüüpi pooljuhi juhtivusvööndise nii, et tagurpidine pinge on piiratud mingile kindlale väärtusele ning laviini ei toimu. Mõlemad seadmed on aga piiratud maksimaalse voolu ja võimsusega piiratud tagurpidise pinge alas.
Teises piirkonnas, tagurpidistel pingetel, mis on vähem kui tipp vastupinge, on ainult väike tagurpidine küllastusvool. P-N alaldi dioodi vastupinge piirkonnas on vool läbi seadme väga väike (µA suurusjärgus). Aga selle voolu suurus on sõltuv materjali temperatuurist, kui temperatuur on piisavalt kõrge siis võib voolutugevus tõusta arvestatava suuruseni (mA või rohkem).
Kolmas piirkond pärisuunaline, kus pärisuunaline vool on väike.
Voolukõver on eksponentsiaalne. Tavalises väikeses ränidioodis tähistatud voolu juures on pingeland ca. 0,6...0,7 volti. See väärtus on erinevatel diooditüüpidel erinev—Schottky dioodidel on väga madal päripingelang, kuni 0,2 V, Germaanium dioodidel 0,25...0,3 V ning punastel või sinistel valgusdioodidel (LEDid) võib olla päripingelang isegi vastavalt 1,4 V või 4.0 V.
Pärivoolu suurenedes pinglang dioodil samuti suureneb. Võmsusdioodide puhul on tavaliselt pingelang nimivoolu korral 1...1,5 V.
==Dioodide tähistamine==
|
