Redaktsioon: 27. detsember 2013, kell 16:02 redigeeri Erkiv (arutelu \| kaastöö) 34 muudatust P v4 Märgis: Visuaalmuudatus ← Vanem muudatus		Redaktsioon: 27. detsember 2013, kell 16:06 redigeeri eemalda Erkiv (arutelu \| kaastöö) 34 muudatust P v5 Märgis: Visuaalmuudatus Uuem muudatus →
12. rida: Lihtne MOSFETi struktuur, kus on näha pais (P), läte (L), neel (N), dielektrik (D) ning kanali ala. Lisaks veel alus ehk transistori keha (K). ]] Traditsioonilise metall-oksiid-pooljuht struktuuri loomiseks sadestatakse ~~räniwaferile~~[[Pooljuhtplaat\|pooljuhtplaadile]] (K) ränidioksiidi kiht ning sellele sadestatakse metalli või polükristallilise räni kile (P). Kuna ränidioksiid on dielektrik (D), moodustab loodud struktruur kondensaatori, mille üks elektrood (Kanal) on asendatud pooljuhiga. Paisule rakendatava pinge muutmisega muutub laengute jaotus pooljuhis. Selle tagajärjel võimaldatakse või takistatakse olenevalt rakendatud pinge polaarsusest elektrivoolu liikumist kanalis. === Näide n-juhtivusega transistori põhjal === 25. rida: === Mõõtmete vähendamine === MOSFET transistoride mõõtmete vähendamine on oluline mitmel põhjusel. Esiteks on võimalik väiksemaid transistore ühte [[mikrokiip\|mikrokiipi]] paigutada rohkem ilma selle mikrokiibi mõõtmeid muutmata. See võimaldab toota sama suuruse kuid rohkemate võimalustega või samade võimalustega kuid väiksemaid mikrokiipe. Kuna ~~pooljuht~~pooljuhtplaatite ~~[[wafer]]-ite~~ja nende peale mikrokiipide tootmise kuludest suurema osa moodustavad püsikulud, on ühe mikrokiibi maksumus seotud sellega kui palju neid ~~waferi~~ühe pooljuhtplaadi peale mahub. Seega mahub väiksematest transistoridest koosnevaid kiipe ~~waferi~~pooljuhtplaadi peale rohkem ja nende hind peaks selle tõttu olema odavam.<ref name=":0">H. Iwai; S. Ohmi, "[http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S002627140200032X Silicon integrated circuit technology from past to future]". Microelectronics Reliability 42, lk 465-491 (2002). Kasutatud 27. detsembril 2013.</ref> Lisaks sellele on väiksemate komponentide mahtuvus väiksem, mis muudab neid kiiremaks ja/või efektiivsemaks. Üks võimalus transistori mõõtmeid vähendada on [https://et.wikipedia.org/wiki/Proportsionaalne_seos proportsionaalselt]. Kui nii kanali pikkust, kanali laiust kui ka oksiidikihi paksust ühe kordaja võrra vähendada siis kanali takistus ei muutu kuid kanali mahtuvus väheneb selle kordaja võrra. Seetõttu väheneb sarnase kordaja võrra ka transistori RC-ahela viivitus. Kui varasemalt aitas transistoride suuruse vähendamine kiiruse kasvule kaasa siis kõige uuemate tehnoloogiate juures ei pruugi sellest enam kasu olla. Nimelt on viivitused transistoride omavahelistes ühendustes tihti isegi suuremad kui transistorides endis.<ref name=":0" />

Isoleeritud paisuga väljatransistor: erinevus redaktsioonide vahel