Vikipeedia

Isoleeritud paisuga väljatransistor: erinevus redaktsioonide vahel

Sirvi ajalugu interaktiivselt
← Vanem muudatusUuem muudatus →
Eemaldatud sisu Lisatud sisu
VisuaalneVikitekst
Erkiv (arutelu | kaastöö)
34 muudatust
P v1
Erkiv (arutelu | kaastöö)
34 muudatust
PResümee puudub
22. rida:
MOSFET transistoride mõõtmete vähendamine on oluline mitmel põhjusel. Esiteks on võimalik väiksemaid transistore ühte [[mikrokiip|mikrokiipi]] paigutada rohkem ilma selle mikrokiibi mõõtmeid muutmata. See võimaldab toota sama suuruse kuid rohkemate võimalustega või samade võimalustega kuid väiksemaid mikrokiipe. Kuna pooljuht [[wafer]]-ite tootmise kuludest suurema osa moodustavad püsikulud, on ühe mikrokiibi maksumus seotud sellega kui palju neid waferi peale mahub. Seega mahub väiksematest transistoridest koosnevaid kiipe waferi peale rohkem ja nende hind peaks selle tõttu olema odavam.
 
Lisaks sellele eeldatakseon väiksemate komponentide mahtuvus väiksem, etmis muudab väiksemadneid transistoridkiiremaks lülituvadja/või kiireminiefektiivsemaks. Üks võimalus transistori mõõtmeid vähendada on [https://et.wikipedia.org/wiki/Proportsionaalne_seos proportsionaalselt]. Kui nii kanali pikkust, kanali laiust kui ka oksiidikihi paksust ühe kordaja võrra vähendada siis kanali takistus ei muutu kuid kanali mahtuvus väheneb selle kordaja võrra. Seetõttu väheneb sarnase kordaja võrra ka transistori RC-ahela viivitus. Kui varasemalt aitas transistoride suuruse vähendamine kiiruse kasvule kaasa siis kõige uuemate tehnoloogiate juures ei pruugi sellest enam kasu olla. Nimelt on viivitused transistoride omavahelistes ühendustes tihti isegi suuremad kui transistorides endis.
 
=== Mõõtmete vähendamisega seotud murekohad ===
62. rida:
* Materjalis peab olema vähe laengulõkse, jääkaatomeid ja defekte.
* [[Adhesioon]] teiste kasutatavate materjalidega peab olema hea.
 
=== Kanali dopeerimine ===
 
Kanali dopeerimine on oluline osa MOSFET-i ehitusest. Dopeerimisega on võimalik muuta MOSFET-i lävipinget ning suruda alla lühikesest kanalist tulenevaid mõjutusi.[2][5] Mida rohkem transistori mõõtmeid vähendatakse seda rohkem tuleks kanali ala dopeerida. Teisalt muudab kogu ränialuse liigne dopeerimine transistori lävepinge liiga kõrgeks ning lätte ja neelu vahelise siirde läbiöögivoolu madalaks. Seega on tähtis võimalikult täpselt dopeerida ainult teatud alasid mitte kogu kanalit.
 
<nowiki/>{{Transistorid}}
{{Elektroonika}}
 
 
== Viited ==
Pärit leheküljelt "https://et.wikipedia.org/wiki/Isoleeritud_paisuga_väljatransistor"