Redaktsioon: 27. märts 2013, kell 21:25 redigeeri Jaanus.kalde (arutelu \| kaastöö) Usaldatud kasutajad 2392 muudatust PResümee puudub ← Vanem muudatus		Redaktsioon: 12. aprill 2013, kell 20:59 redigeeri eemalda Taivo (arutelu \| kaastöö) Administraatorid 28 885 muudatust Resümee puudub Uuem muudatus →
1. rida: [[Pilt:Pnp01.png\|pisi\|''Pnp''-tüüpi transistor<br>(~) - signaaliallikas<br>R - koormustakisti, millele rakendadakse võimendatud signaal~~<BR>~~]]▼ ~~{{Viita}}~~ '''Bipolaartransistor''' on [[Elektrivool\|~~vool~~vooluga]]~~uga~~ juhitav [[transistor]], mis koosneb kolmest [[aukjuhtivus\|auk]]- ja ~~elektronjuhtivusega~~[[elektronjuhtivus]]ega kihist janing kahest nendevahelisest [[pn-siire\|pn-siirdest]].<ref name=Tehnikaleksikon>[[Tehnikaleksikon]], lk. 525</ref> Bipolaartransistori tööks on vajalik kahesuguste laengukandjate, niihästi [[elektron]]ide kui [[auk]]ude olemasolu [[pooljuht\|pooljuhis]].<ref name=Tehnikaleksikon/> Bipolaartransistori (tavaliselt [[germaanium]]ist või [[räni]]st) struktuur võib olla ''pnp'' või ''npn''.▼ ~~Pnp-tüüpi~~Keskmist ~~bipolaartransistoril~~ala onnimetatakse 2alati [[~~aukjuhtivus~~baas]]~~e ja 1~~iks. [[~~elektronjuhtivus~~Emitter]]~~ega kihti. Keskmist ala nimetatakse alati baasiks, antud juhul on see elektronjuhtivusega. Emitter~~ ja [[kollektor]] on alati baasi otstel~~, antud juhul aukjuhtivusega~~. Emitterit läbib kogu kasutatav vool; osa sellest läheb välja baasi kaudu, (mis on üldjuhul tüüriv vool), ~~ning~~ja osa kollektori kaudu, (mis on üldjuhul tüüritav vool).▼ ~~[[Pilt:Pnp01.png\|pisi\|''Pnp tüüpi transistor''<BR>~~ ~~(~) - signaaliallikas<BR>~~ ▲R - koormustakisti, millele rakendadakse võimendatud signaal<BR> ~~Nooltega on näidatud elektrivoolu suund]]~~ Bipolaartransistori saab panna kolme ~~lülitusse~~[[lülitus]]se: on olemas ühise emitteriga, ühise kollektoriga ja ühise baasiga lülitus. Esimene neist on kõige kasutatavam, sest see tagab suure ~~võimendusteguri~~[[võimendustegur]]i. Ühise kollektoriga lülitus on spetsiifilisem ([[emitterijärgur]]). Ühise baasiga lülitus on sageli kasutusel [[raadiotehnika]]s, sest võimaldab kõrgemaid sagedusi kasutada.▼ ▲Pnp-tüüpi bipolaartransistoril on 2 [[aukjuhtivus]]e ja 1 [[elektronjuhtivus]]ega kihti. Keskmist ala nimetatakse alati baasiks, antud juhul on see elektronjuhtivusega. Emitter ja kollektor on alati baasi otstel, antud juhul aukjuhtivusega. Emitterit läbib kogu kasutatav vool; osa sellest läheb välja baasi kaudu (mis on üldjuhul tüüriv vool) ning osa kollektori kaudu (mis on üldjuhul tüüritav vool). Ühe ''pn''-siirde, näiteks emittersiirde, voolu muutumine põhjustab teise siirde, sel juhul kollektorsiirde [[takistus]]e muutumise.<ref name=Tehnikaleksikon/> ▲Bipolaartransistori saab panna kolme lülitusse: on olemas ühise emitteriga, ühise kollektoriga ja ühise baasiga lülitus. Esimene neist on kõige kasutatavam, sest see tagab suure võimendusteguri. Ühise kollektoriga lülitus on spetsiifilisem ([[emitterijärgur]]). Ühise baasiga lülitus on sageli kasutusel [[raadiotehnika]]s, sest võimaldab kõrgemaid sagedusi kasutada. ▲Bipolaartransistori (pooljuhtstruktuur koosneb tavaliselt [[germaanium]]ist või [[räni]]st).<ref ~~struktuur võib olla ''pnp'' või ''npn''.~~name=Tehnikaleksikon/> Bipolaartransistori leiutasid [[1947]]. aasta detsembris [[John Bardeen]] ja [[Walter Brattain]] [[William Schockley]] juhtimisel ettevõttes [[Bell Telephone Laboratories]]. Selle leiutise eest pälvisid kõik kolm meest [[1956]]. aasta [[Nobeli füüsikapreemia]]. Bardeen on ainus, kes pälvinud Nobeli füüsikapreemia kahel korral: teist korda asi ta selle [[1972]] [[ülijuhtivus]]t käsitleva [[BCS teooria]] väljatöötamise eest. == Viited == {{Viited}} ==Välislingid== 18. rida ⟶ 22. rida: {{Transistorid}} {{Elektroonika}} [[Kategooria:Transistorid~~\| Bipolaartransistor~~]]

Bipolaartransistor: erinevus redaktsioonide vahel