Ava peamenüü

Muudatused

P
resümee puudub
:<math>k_{x}^2+k_{zi}^2=\varepsilon_i \left(\frac{\omega}{c}\right)^2 \qquad i=1,2</math>,
 
kus ''c'' on [[valguse kiirus]] [[vaakum]]is ja ''k<sub>x</sub>'' on ühine [[lainevektor]]. Lahendades need kaks võrrandit saame pinnalaine [[dispersioonisdispersioon]]eoseiseose
 
:<math>k_{x}=\frac{\omega}{c} \left(\frac{\varepsilon_1\varepsilon_2}{ \varepsilon_1+\varepsilon_2}\right)^{1/2}.</math>
Kuna pinnaplasmonid levivad mööda metalli pinda (on pinnalainetus), kaotab see neeldumise tõttu energiat (neeldumine metallis). Pinnaplasmonite [[intensiivsus]] on pöördvõrdeline elektrivälja ruuduga, seega kaugusel ''x'' on intensiivsus vähenenud ''e<sup>-2k<sub>x</sub>"x</sup>'' korda. Leviku kaugus on defineeritud vahemaaga, kus pinnaplasmonite intensiivsus on vähenenud ''1/e'' korda. Selline tingimus on rahuldatud kaugusel <ref name="Homola">{{cite book |last=Homola |first=Jirí |year=2006 |title=Surface Plasmon Resonance Based Sensors. Springer Series on Chemical Sensors and Biosensors, '''4'''|location=Berlin |publisher=Springer-Verlag|isbn=3-540-33918-3}}</ref>
:<math>L=\frac{1}{2 k_{x}''}</math>.
Samuti kahaneb ka pinnaga risti olev elektriväli. Madalatel sagedustel on võimalik kasutada [[lähendusvalemelähendusvalem]]ideid leviku sügavuse määramiseks. Dielektrikus kahaneb elektriväli aeglasemalt kui metallis. Levimissügavused metallis ja dielektrikus on võimalik avaldada <ref name="Homola"/>
:<math>z_{i}=\frac{\lambda}{2 \pi} \left(\frac{|\varepsilon_1'|+\varepsilon_2}{\varepsilon_i^2} \right)^{1/2}</math>,
kus ''i'' määrab keskkonna. Kuna pinnaplasmonid on väga tundlikud igasugustele ebatasasustele, siis on see hea tööriist pinnakvaliteedi määramiseks.
==Eksperimentaalsed rakendused==
 
Tihti kasutatakse pinnaplasmonite sidestumist footonitega eksperimentaalse võttena. Pinnaplasmonite sidestumist footonitega nimetatakse ka pinnaplasmon-resonantsiks. Pinnaplasmon-resonants määratakse mõõtes peegeldunud valguse intensiivsust sõltuvalt langemisnurgast või [[lainepikkus]]est. See tehnika võimaldab vaadelda [[nanomeetnanomeeter|nanomeetriseid]]riseid muutusi pinna paksuses, tiheduses jms.
 
Plasmonlainete neeldumise ja emissioonide lainepikkus ja intensiivsuse maksimumid on mõjutatud molekulaarsest neeldumisest, seda saab kasutada molekulaarsete andurite valmistamisel.
223

muudatust