CMOS: erinevus redaktsioonide vahel

Eemaldatud sisu Lisatud sisu
Xqbot (arutelu | kaastöö)
PResümee puudub
4. rida:
CMOS tehnoloogial põhinevates lülitustes on [[loogikaelement|loogikaelemendid]] üles ehitatud '''komplementaar-sümmeetriliste [[transistor]]ipaaride''' baasil (COS-MOS <ref>''COS-MOS'' oli RCA kaubamärk ning sundis seetõttu teisi tootjaid välja mõtlema uue nime – CMOS</ref>). Transistoriteks on [[MOP-transistor]]ite ([[MOSFET]]) (metall-oksiid-pooljuht [[väljatransistor]]ite) paarid, kus üheks transistoriks on [[n-tüüpi_transistor|n-tüüpi]] MOP-transistor ja teiseks [[p-tüüpi_transistor|p-tüüpi]] MOP-transistor.
 
CMOS seadmete eelisteks on väike müratundlikkus, väga väike voolutarve – peamiselt tarbitakse voolu ainult siis kui transistoreid lülitatakse ümber, väike soojuseraldus (võrreldes näiteks [[TTLtransistor-transistor loogika]]-ga ehk transistorTTL-transistor loogikagaiga). CMOS loogikaelemente on võimalik paigutada kiipides väga tihedalt. See oli ka peamine põhjus, miks CMOS-ist sai kaheksakümnendatest alates enimkasutatud tehnoloogia [[VLSI]] tüüpi kiipide tootmisel.
 
CMOS tehnoloogia puuduseks on soojuseraldus ja energiatarve ümberlülitamise hetkel. Kui töösagedus väga kõrgeks läheb ja ümberlülitused hakkavad väga suure sagedusega toimuma, siis võib saabuda hetk, mil mõlemad komplementaarpaari transistorid on sisse lülitatud ning lühistavad lülituse (lühikeseks ajaks). Ka on metalloksiid-pooljuhid on väga tundlikud elektrostaatiliste laengute suhtes ja kui nendega ettevaatamatult ümber käia, võivad nad pöördumatult rikneda.