Laiapinnalise grafeeni valmistamine keemilise aurufaassadestuse meetodil: erinevus redaktsioonide vahel

Eemaldatud sisu Lisatud sisu
DDobble (arutelu | kaastöö)
Uus lehekülg: ''''Keemilise aurufaassadestuse''' (ingl.k. ''[http://Chemical%20Vapor%20Deposition Chemical Vapor Deposition]'', CVD) meetod on laialdaselt kasutuses õhukeste tahkiskilede sades...'
 
DDobble (arutelu | kaastöö)
Resümee puudub
1. rida:
'''Keemilise aurufaassadestuse''' (ingl.k. ''[http://Chemical%20Vapor%20Depositionen.wikipedia.org/wiki/Chemical_vapor_deposition Chemical Vapor Deposition]'', CVD) meetod on laialdaselt kasutuses õhukeste tahkiskilede sadestamiseks kasvatusalustele. Tavaliselt transporditakse lähteaine(d) jätkuva voona alustele inertsete kandegaaside abil. Alusel või selle vahetus läheduses toimuvad lähteaine(te)ga või lähteaine(te) toimel keemilised reaktsioonid. Näiteks lagundatakse lähteaine kasvatusaluse juures kaheks komponendiks, millest üks sadeneb alusele ja teine, gaasiline komponent, viiakse süsteemist välja.<ref name="C. Miao">http://www.intechopen.com/articles/show/title/chemical-vapor-deposition-of-graphene</ref>
<br />
[[Grafeen|Grafeenis]] nähakse suurt potentsiaali tuleviku nanoelektroonikas tänu selle laengukandjate suurele liikuvusele.<ref>D. Wei and Y. Liu, Controllable synthesis of graphene and its applications. Adv. Mater. 22 (2010) 3225-3241</ref>