Skaneeriv elektronmikroskoop: erinevus redaktsioonide vahel

Eemaldatud sisu Lisatud sisu
Kristi515 (arutelu | kaastöö)
Kristi515 (arutelu | kaastöö)
Resümee puudub
8. rida:
SEM võimaldab saavutada oluliselt tugevamat suurendust kui [[valgusmikroskoop|valgusmikroskoobid]] tulenevalt elektronide lühikesest [[lainepikkus]]est. Tänu väga piiratud elektronkiirele on SEM-il lai [[teravussügavus]], mis tähendab, et samaaegselt [[fookus]]es olev prooviala on üsna suur. SEM-i eeliseks on samuti [[suurendus]]e ulatus, lubades uurijal üsna lihtsalt fokuseerida huvipakkuvat ala objektil, mis oli eelnevalt skaneeritud väiksema suurendusega. Erinevalt transmissioonielektronmiksoskoobist, [[TEM]]-ist on kujutis kolmedimensionaalne.
 
[[Professor ''sir'' [[Charles Oatley]] ja tema üliõpilasest uuringukaaslane [[Dennis McMullan]] alustasid uuringuid ning arendustöid skaneeriva elektronmikroskoobi konstrueerimiseks [[1948]]. aastal. [[1965]]. aastal jõudsid nad esimese tööstuslikult toodetava SEM-i ehitamiseni. [http://www2.eng.cam.ac.uk/~bcb/semhist.htm]
 
SEM-iga objektide uurimisel on oluline koht proovide ettevalmistamisel, olulistemateks etappideks on näidise kuivatamine ning elektronkiirest põhjustatud laengu pinnale kogunemise vältimine.
14. rida:
==Ajalugu==
 
Esimese SEM-i pildi saavutas [[Max Knoll]], näidates elektronide kanaliseerumist räniterase kristallis, 1935. aastal. <ref name="knoll"/> 1937. aastal jätkas [[Manfred von Ardenne]] SEM-i füüsikaliste aluste ning kiire ja proovi interaktisooni uurimist.<ref name="Ardenne1"/><ref name="Ardenne2"/> Mehele anti küll Briti patent,<ref name="vonardenne"/> kuid praktilisereaalse instrumendi valmistamiseni ta ei jõudnud. Edasi arendasid SEM-i professor ''sir'' [[Charles Oatley]] ja tema üliõpilasest uuringukaaslane [[Dennis McMullan]] ning 1965. aastal toodeti tööstuslikult esimene SEM, turustajaks [[Cambridge Scientific Instrument Company]]. Instrument kandis nime "Stereoscan" ning paigaltati [[DuPont]]-i.
 
==Skaneeriva elektronmikroskoobi tööpõhimõte==
28. rida:
Vastastikmõju tõttu peegelduvad materjalist kõrge energiaga elektronid (peegeldunud e hajunud elektronid – energia samas suurusjärgus primaarsete elektronide energiaga), välja lüüakse ka madala energiaga sekundaarelektrone (energia alla 50 eV). Lisaks tekib elektronide pidurdumisel aatomites [[röntgenkiirgus]], aatomite madalamate tasemete elektronide ergastamisel ka karakteristlik röntgenkiirgus.
 
Peegeldunud elektronide hulk sõltub materjalist – mida suurem on materjali [[aatommass]], seda rohkem elektrone tagasi peegeldatakse. Seetõttu kasutatakse peegeldunud elektronide režiimi näidiseproovi koostise kindlaks tegemisel ning keemiliste elementide jaotuse hindamiseks uuritaval pinnal.
 
[[Sekundaarelektronid]] tekivad näidise mõne nanomeetri paksusest pinnakihist. Sekundaarsete elektronide abil uuritakse näidise pinna [[topoloogia]]t. Neid kiirendatakse 400V400 V-ses [[pinge]]s ning suunatakse siis detektorisse. Sekundaarelektronid tekitavad detektori stsintillatsioonmaterjalis valgussähvatuse, mida võimendatakse fotokordistis. Saadud vooluimpulsid võimendatakse
ning moduleeritakse pildi heleduseks – nii saadakse pilt monitori ekraanile.