Skaneeriv elektronmikroskoop: erinevus redaktsioonide vahel

Eemaldatud sisu Lisatud sisu
Kristi515 (arutelu | kaastöö)
PResümee puudub
PResümee puudub
1. rida:
 
{{Koolitöö|14. novembril 2011|kool=TÜ loodus- ja tehnoloogiateaduskond}}
[[FilePilt:Misc pollen.jpg|thumbpisi|Neid [[õietolm]]u terasid on skaneeridud SEM-iga, näitamaks [[sügavusteravust]] SEM-i [[mikrograafi]]l.]]
[[FilePilt:SEM chamber1.JPG|thumb|rightpisi|SEM-i avatud proovikamber]]
[[FilePilt:ScanningMicroscopeJLM.jpg|thumb|rightpisi|Skaneeriva elektronmikroskoobi analoog]]
 
 
'''Skaneeriv elektronmikroskoop''' (''Scanning electron microscope'', '''SEM''') on [[mikroskoop]], mis võimaldab [[kujutis]]e saamist uuritava proovi skaneerimisele kõrge energiaga elektronkiire abil. Proovi pinda läbivad elektronid interakteeruvad [[aatom]]itega, produtseerides [[signaal]]e, mis sisaldavad informaatsiooni proovi pinna [[topograafia]]st, [[koostis]]est , [[elektrijuhtivus]]est ning teistest omadustest.
12. rida ⟶ 11. rida:
[[Professor sir Charles Oatley]] ja tema üliõpilasest uuringukaaslane [[Dennis McMullan]] alustasid uuringuid ning arendustöid skaneeriva elektronmikroskoobi konstrueerimiseks [[1948]]. aastal. [[1965]]. aastal jõudsid nad esimese tööstuslikult tootetava SEM-i ehitamiseni. [http://www2.eng.cam.ac.uk/~bcb/semhist.htm]
 
SEM-iga objektide uurimisel on oluline koht proovide ettevalmistamisel, olulistemaksolulistemateks etappideks on näidise kuivatamine ning elektronkiirest põhjustatud laengu pinnale kogunemise vältimine.
 
==Ajalugu==
46. rida ⟶ 45. rida:
 
Filamente kasutatakse elektronide allikana,
mida kiirendatakse kuni 5000050 000 kV-ses (isegi kuni 100000100 000 kV-ses) elektriväljas. Kiirendatud
elektronidekimp fokuseeritakse [[pool]]ide abil, see tähendab magnetväljas, väiksesse täppi, mille diameeteriks umbes 0,4-104–10 nm. Skaneerimispoolide abil suunatakse elektronkiirt rida-realt kuni uuritav piirkond "üle käidud", samaaegselt muutub ka [[detektor]]i skaneerimissamm.
 
Objektini jõudnud elektronid hajuvad korduvalt aatomite elektrokihtidelt ning pidurduvad
uuritava näidise niinimetatud vastastikmõju piirkonnas, mis on 100-5000nm100–5000 nm paks. Interaktsioonikihi paksus sõltub elektronide energiast ning näidise aatominumbrist ja materjali tihedusest.
 
Vastastikmõju tõttu peegelduvad materjalist kõrge energiaga elektronid (peegeldunud e
hajunud elektronid – energia samas suurusjärgus primaarsete elektronide energiaga), välja lüüakse ka madala energiaga sekundaarelektrone (energia alla 50 eV). Lisaks tekib elektronide
pidurdumisel aatomites [[röntgenkiirgus]], aatomite madalamate tasemete elektronide ergastamisel ka karakteristilik röntgenkiirgus.
ka karakteristilik röntgenkiirgus.
 
Peegeldunud elektronide hulk sõltub materjalist – mida suurem on materjali [[aatommass]], seda rohkem elektrone tagasi peegeldatakse. Seetõttu kasutatakse peegeldunud elektronide režiimi näidise koostise kindlaks tegemisel ning keemiliste elementide jaotuse hindamiseks uuritaval pinnal.
rohkem elektrone tagasi peegeldatakse. Seetõttu kasutatakse peegeldunud elektronide režiimi
näidise koostise kindlaks tegemisel ning keemiliste elementide jaotuse hindamiseks uuritaval
pinnal.
 
[[Sekundaarelektronid]] tekivad näidise mõnenanomeetri paksusest pinnakihist. Sekundaarsete elektronide abil uuritakse näidise pinna [[topoloogia]]t. Neid kiirendatakse 400V-ses [[pinge]]s ning suunatakse siis detektorisse. Sekundaarelektronid tekitavad detektori stsintillatsioonmaterjalis valgussähvatuse, mida võimendatakse fotokordistis. Saadud vooluimpulsid võimendatakse
elektronide abil uuritakse näidise pinna [[topoloogia]]t. Neid kiirendatakse 400V-ses [[pinge]]s ning
suunatakse siis detektorisse. Sekundaarelektronid tekitavad detektori stsintillatsioonmaterjalis
valgussähvatuse, mida võimendatakse fotokordistis. Saadud vooluimpulsid võimendatakse
ning moduleeritakse pildi heleduseks – nii saadakse pilt monitori ekraanile.
 
[http://www.tlu.ee/~tony/oppetoo/eksperimentaalfyysika/Eksperimentaalfyysika_loeng.pdf]
 
===Suurendus===
 
[[Image:FLY EYE.jpg|thumbpisi|right| SEM-i [[mikrograaf]] toakärbse silmast 450×suurendusega.]]
 
SEM-iga on võimalik suurendada objekti alates 10 korrast kuni 500.000 korrani.
 
Erinevalt optilisest mikroskoobist, ei ole pildi suurendus SEM-is sõltuv [[objektiivläätse]] tugevusest. SEM-is on küll olemas kondensor- ja objektiivläätsed, kuid nende ülesandeks on fokuseerida kiirt täpile, mitte luua pilti proovist. Elektonkahuri[[Elektronkahur]]i abi on võimalik luua suhteliselt väikese diameeriga kiir, see tähendab, et SEM-iga on võimalik töötada ka ilma kondensor- või objektiivläätse abita, kuigi sellel juhul ei pruugi pilt olla väga püsiv ning pole võimalik saavutada piisavalt kõrget [[resolutsioon]]i.
Suurendust SEM-is kontrollitakse skaneerivatele poolidele tekitatud voolu või deflektorplaatidele rakendatud pinge, mitte objektiivläätsede tugevuste abil.
 
===Elektron- ja kondensorläätsed===
Kui mähise keerdusid, läbib elektrivool, siis tekib tugev mägnetväli[[magnetväli]], mis väljutatakse elektronoptilisse kanalisse läätsemagneti "ava" kaudu. See telgsümmeetriline väli töötab analoogiliselt õhukese koondava läätsega, tuues teljest kaugemal olevad elektronid tagasi fookusesse. Sealjuures liiguvad teatud energiani E{0}, kiirendatud elektronid keeruka 3D trajektooriga läbi fookuse, projekteerides elektronide allika vähendatud kujutise vahetasandile, telje suhtes pööratuna. Selle pöörde suurus sõltub läätse tugevusest. Läätse fookuskaugust saab muuta läätse läbinud voolu tugevuse muutmisega.
 
Kahekordne kondensorsüsteem koosneb 2-st kondensorläätsest, mis on kasutatav nii SEM, kui TEM elektrooptikas. Selle süsteemi ülesanne on kontrollida elektronsondi parameetreid: vooli suurust, sondi diameetrit ja konvergentsust.
85. rida ⟶ 79. rida:
Süsteemis ergastatakse kahte läätse korraga ning see töötab analoogiliselt 2-e järjestikuse õhukese optilise läätsega, millel põhimõtteliselt võivad olla erinevad fookuskaugused. Teise läätse sees on tavaliselt sondi piirav kondensorläätse ava.
 
TEM-is suudab kondensorsusteem elektronkiire otse objektile, kuid SEM-i puhul on kondensorsusteemikondensorsüsteemi ja objekti vahel veel objektiivlääts, mis kontrollib sondi fokuseeringut objekti tasandil ja suurendab sondi konvergentsust.
 
objekti vahel veel objektiivlääts, mis kontrollib sondi fokuseeringut objekti tasandil ja
suurendab sondi konvergentsust.[http://www.fi.tartu.ee/~kiku/Loeng_14_SEM.pdf]
 
==Proovi ettevalmistamine==
[[ImagePilt:Gold Spider SEM sample.jpg|thumbpisi|left|Kullakihiga kaetud ämblik, mis on ettevalmistatud skaneeriva elektronmikroskoobiga uuringuks.]]
[[FilePilt:SEMStubs.jpg|thumbpisi|13mm raadiusega alumiinium proovihoidjad ]]
 
Kõikide uuritavate objektide mõõtmed tuleb eelnevalt viia vastavusse näidiste kambri omadega ning seejärel kinnitada hoolikalt proovihoidjale. Mitmete SEM-i mudelitega on võimalik proovi uurida üle kogu 15 cm pooljuhikihi ning mõne masinaga on võimalik sellise suurusega objekti kallutata kuni 45° ulatuses.
 
Skaneeriva elektornmikroskoobielektronmikroskoobi ülesvõttel peavad näidised juhtima elektrit,vähemalt pinnalt ning lisaks olema maandatud, vältimaks staatilise elektri kogunemist.
 
Metallobjektide korral pole suuremat ettevalmistust tarvis, piisab vaid puhastamisentpuhastamisest ning hoolikalt proovihoidjale kinnitamisest.
Mittejuhtivad näidised kipuvad elektronkiirega skaneerimisel laaduma, eriti kui kasutatakse sekunaarelektronidega ülesvõtte režiimi, see tekitab skaneerimisvigu ning muid pildi ebatäpsusi. Sellise olukorra vältimiseks kaetakse proovid üliõhukese elektrit juhtiva materjalikihiga, kasutateskasutades madal-vaakum pinnakatmist või kõrgvaakum aurufaassadestus. Juhtivateks kattematerjalidena on tänapäeval kasutusel [[kuld]], kulla ja [[pallaadium]]i sulam, [[plaatina]], [[osmiium]], [[iriidium]], [[volfram]], [[kroom]] ning [[grafiit]].
Lisaks võib kate suurendada madala aatominumbriga proovide korral signaalitugevust, sõltuvalt kõrgemate aatomitnumbriga materjalide sekundaarelekronide eraldumise kasvule.
 
Lisaks võib kate suurendada madala aatominumbriga proovide korral signaalitugevust, sõltuvalt kõrgemate aatomitnumbrigaaatominumbriga materjalide sekundaarelekronide eraldumise kasvule.
 
==Viited==