Redaktsioon: 15. juuni 2008, kell 22:43 redigeeri 213.35.251.224 (arutelu) Uus lehekülg: Koosneb kas p- või n-juhtivusega kanalist, mille külge on ühendatud lätte ja neelu elektroodid. Kanali küljel või külgedel paikneb teistpidise juhtivusega paisutsoon. Levinuima...		Redaktsioon: 16. juuni 2008, kell 00:08 redigeeri eemalda Jaan513 (arutelu \| kaastöö) Bürokraadid, Administraatorid 10 382 muudatust +alguslause, kat, teised keeled Uuem muudatus →
1. rida: '''Pn-siirdega väljatransistor''' on üks kahest [[väljatransistor]]i põhitüübist. Koosneb kas p- või n-juhtivusega kanalist, mille külge on ühendatud lätte ja neelu elektroodid. Kanali küljel või külgedel paikneb teistpidise juhtivusega paisutsoon. Levinuimad on n-kanaliga väljatransistorid. ~~Kuna pais ja kanal on alati erineva juhtivusega, siis tekib kanali ja paisu vahele tõkkekiht, kui p-n siire vastupingestada.~~ Kuna pais ja kanal on alati erineva juhtivusega, siis tekib kanali ja paisu vahele tõkkekiht, kui [[pn-siire]] vastupingestada. Mida suurem on vastupinge, seda paksem on ppn-n siirde tõkkekiht ja mida paksemaks läheb tõkkekiht seda kitsamaks jääb voolu juhtiv kanal. Seega neelu vool hakkab sõltuma paisule rakendatavast vastupingest. Selleks, et tõkkekiht laieneks rohkem kanalisse mitte paisu poole, peab olema paisu juhtivus parem kui kanalil. ~~Iseloomustamiseks~~Konkreetse väljatransistori iseloomustamiseks kasutatakse ~~väljund~~väljundi tunnusjoont ja ülekande tunnusjoont. ==Vaata ka== *[[Isoleeritud paisuga väljatransistor]] [[Kategooria:Transistorid]] [[de:Sperrschicht-Feldeffekttransistor]] [[en:JFET]] [[es:JFET]] [[fr:Junction Field Effect Transistor]] [[it:JFET]] [[pl:Tranzystor polowy złączowy]] [[fi:JFET]] [[tr:Junction Field Effect Transistor]] [[zh:结型场效应管]]

Pn-siirdega väljatransistor: erinevus redaktsioonide vahel